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J-GLOBAL ID：201702274875253547   整理番号：17A0666062

p GaN/u GaN交互層ナノ構造における高いp型伝導のためのu-GaNにおけるp-GaNと高移動度の高い正孔濃度の結合【Powered by NICT】

Combining High Hole Concentration in p-GaN and High Mobility in u-GaN for High p-Type Conductivity in a p-GaN/u-GaN Alternating-Layer Nanostructure

著者 (8件)： Chen Hao-Tsung (Department of Electrical Engineering, Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Su Chia-Ying (Department of Electrical Engineering, Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Tu Charng-Gan (Department of Electrical Engineering, Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Yao Yu-Feng (Department of Electrical Engineering, Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Lin Chun-Han (Department of Electrical Engineering, Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Wu Yuh-Renn (Department of Electrical Engineering, Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Kiang Yean-Woei (Department of Electrical Engineering, Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Yang Chih-Chung C. C. (Department of Electrical Engineering, Institute of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 1  ページ： 115-120  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p GaN/u GaN交互層ナノ構造を,分子ビームエピタクシーにより成長させた0.038Ω-cmの低p型抵抗率レベルを示した。得られた低い抵抗率は非ドープGaN層中の高い正孔移動度に起因し,それは隣接p-GaN層から拡散した正孔の効果的な輸送チャネルとして機能する。薄いp-GaN層中のMgドーピングは隣接非ドープGaN層への正孔を供給するための高Mgドーピング濃度につながる可能性がある。一次元ドリフト拡散電荷制御モデルとイオン化不純物散乱のBrooks-Herring理論に基づくシミュレーションは,最初の正孔濃度,移動度,抵抗率の深さ分布を得るために行った。,加重平均プロセスは測定データと一致した結果を与えるために有効な正孔濃度,移動度,およびp GaN/u GaN交互層ナノ構造の電気抵抗率を評価するために使用した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電荷 ,  ドーピング ,  マグネシウム ,  *窒化ガリウム ,  *移動度 ,  MBE成長 ,  *正孔 ,  *ナノ構造 ,  一次元 ,  電気抵抗率 ,  イオン化 ,  チャネル
準シソーラス用語： 不純物散乱 ,  正孔移動度 ,  *正孔濃度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  ダイオード  (NC03050R) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  互層 ,  ナノ構造 ,  P型伝導 ,  高移動度 ,  正孔濃度