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J-GLOBAL ID：201702274909811217   整理番号：17A0705534

Si(100)-2×1上の1,3,5 トリエチニルベンゼンの自己集合の理論的研究と単一表面グラフト化重合体を作製するためのCOとの反応によるその場重合【Powered by NICT】

Theoretical study on the self-assembly of 1,3,5-triethynylbenzene on Si(100)2 × 1 and in situ polymerization via reaction with CO to fabricate a single surface-grafted polymer

著者 (6件)： Yao Xiaojing (School of Physics, Southeast University, Nanjing 211189, China. [e-mail]) ,  Wang Jinlan ,  Wu Gang ,  Goh Shermin S. ,  Zhu Hongjun ,  Yang Shuo-Wang
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 14  ページ： 3585-3591  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論(DFT)計算に基づいて,水素終端Si(100)-2×1表面上の導電性分子ワイヤを作製するための二段階表面反応を検討した。第一段階は1,3,5 トリエチニルベンゼン(TEB)分子の自己組織化成長とH-Si(100)-2×1表面上の整列分子配列の形成であり,第二段階は表面グラフト化分子ワイヤ,Si表面に化学的に結合し,電子的連結を生成する形式的[二+二一]環状付加反応を経由するCOを吸着した分子のin situ重合である。新たに形成された高分子/Si(100)2×1構造は半導体であり,電子ドーピングによる導電性であることを調整できるこの構造の分子ワイヤは唯一導電性チャンネルで,Si基板は,その半導体特性を保持した。このような独特の特性は,これらの表面グラフト化分子ワイヤを利用したり,分子エレクトロニクスにおける有望な候補を重合体。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *その場重合 ,  *重合体 ,  環状付加 ,  導電性 ,  チャネル ,  密度汎関数法 ,  *自己集合 ,  計算 ,  半導体 ,  表面反応 ,  *ケイ素
準シソーラス用語： 分子配列 ,  分子ワイヤ ,  *表面グラフト化 ,  *シリコン(100) , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  有機化合物のルミネセンス  (BM08094A) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  核酸一般  (EB04010U)

タイトルに関連する用語 (9件)： Si ,  自己集合 ,  理論 ,  研究 ,  表面グラフト化 ,  重合体 ,  作製 ,  CO ,  その場重合