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J-GLOBAL ID：201702275069301662   整理番号：17A0265772

超格子アバランシェフォトダイオードの構造最適化と性能研究【JST・京大機械翻訳】

Structure optimization and performance study of superlattice avalanche photodiode

著者 (5件)： Du Yujie (Key Laboratory of Opto - electronics Technology of Education Ministry,College of Electronic Information & Control Engineering, Beijing University of Technology) ,  Deng Jun (Key Laboratory of Opto - electronics Technology of Education Ministry,College of Electronic Information & Control Engineering, Beijing University of Technology) ,  Xia Wei (Key Laboratory of Opto - electronics Technology of Education Ministry,College of Electronic Information & Control Engineering, Beijing University of Technology) ,  Mou Tong (Key Laboratory of Opto - electronics Technology of Education Ministry,College of Electronic Information & Control Engineering, Beijing University of Technology) ,  Shi Yanli (Kunming Institute of Physics)
資料名： Jiguang yu Hongwai  (Jiguang yu Hongwai)
巻： 46  号： 11  ページ： 1358-1362  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2073A  ISSN： 1001-5078  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 衝突の理論に基づいて,IN_(0.53)GA_(0.47)AS/IN_(0.52)AL_(0.48)AS超格子構造のアバランシェフォトダイオードを設計した。デバイスの性能に及ぼす構造パラメータの影響を分析することによって,低トンネル電流と高増倍因子の超格子構造を得て,電界分布方程式に基づいて,電荷層厚とドーピングに及ぼす器件二の影響をシミュレーションして,吸収層の構造パラメータを最適化した。最適化されたデバイス構造をシミュレーションし,実際に検出器を作製し,光電子特性試験を行い,同じ構造の通常のアバランシェフォトダイオードと比較して,超格子アバランシェフォトダイオードはより高い光電流応答を示し,12.5~20Vのアバランシェフォトダイオードにおいてより高い光電流応答を示した。超格子アバランシェフォトダイオード(光)は,低い暗電流を持ち,デバイスの信号対雑音比を改善することができる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 暗電流 ,  *アバランシェフォトダイオード ,  光電子 ,  SN比 ,  *最適化 ,  *構造最適化 ,  電荷 ,  素子構造 ,  構造パラメータ ,  層厚 ,  *超格子 ,  検出器
準シソーラス用語： 電流応答 ,  電界分布 ,  トンネル電流 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： super - lattice avalanche photodiode ,  lonization rate ,  signal to noise ratio

分類 (1件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (4件)： 超格子 ,  アバランシェフォトダイオード ,  構造最適化 ,  研究