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J-GLOBAL ID:201702275075985305   整理番号:17A0353303

ゾル-ゲル法により備硅酸Gao薄膜を調製した。【JST・京大機械翻訳】

Preparation of ZrSiO_4 thin Film via Sol-Gel Method
著者 (6件):
資料名:
巻: 37  号:ページ: 133-139  発行年: 2016年 
JST資料番号: C3005A  ISSN: 2095-784X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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出硅酸Gao薄膜を酸触媒ゾル-ゲル法によってN型単結晶シリコン基板上に調製した。膜の相組成と微細構造に及ぼす酸触媒,還流,および時効の影響を,XRD,SEM,および他の方法によって比較した。ゾル-ゲルの安定性を粘度-時間曲線により観察し,ゾル-加水分解重縮合の過程をFT-IRにより研究した。実験結果は以下を示す。酸触媒と還流プロセスと比較して,HNO_3を用いてPH値を1に調整することによって,正の迅速加水分解重縮合を効果的に軽減し,均一を900°Cで0.5時間焼成することによって,緻密なケイ酸ジルコニウム薄膜が得られた。それは,アルカリ溶液中でのアルカリ溶液の腐食を効果的に防ぐことができた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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光化学一般 
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