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J-GLOBAL ID：201702275363160847   整理番号：17A0364625

炭素照射後のITO膜の再結晶化【Powered by NICT】

Re-crystallization of ITO films after carbon irradiation

著者 (4件)： Usman Muhammad (Experimental Physics Laboratories, National Centre for Physics, Shahdara Valley Road, Quaid-i-Azam University, Islamabad, Pakistan) ,  Khan Shahid (State Key Laboratory of Silicon Materials, School of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China) ,  Khan Majid (Department of Physics, Quaid-i-Azam University, Islamabad, Pakistan) ,  Abbas Turab Ali (Experimental Physics Laboratories, National Centre for Physics, Shahdara Valley Road, Quaid-i-Azam University, Islamabad, Pakistan)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 392  ページ： 863-866  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガラス基板上のインジウムスズ酸化物(ITO)薄膜への2.0MeVの炭素イオン照射効果を調べた。膜は1×10~13のフルエンス範囲1×10~15ions/cm~2への炭素イオンを照射した。ITO中の照射誘起効果を膜の構造的,光学的および電気的性質の系統的研究によるイオン衝撃前後で比較した。XRDの結果は,炭素イオンの1×10~13ions/cm~2フルエンス後に非晶質状態に変わる非照射ITO膜の多結晶性を示した。イオンフルーエンスを更に増やして行くと1×10~14ions/cm~2は構造を再結晶化とより高いフルエンスで保持していた。照射試料の電気伝導率と透過率の緩やかな減少はイオンフルエンスの増加とともに観察された。膜のバンドギャップは,炭素照射後に減少したことが観察された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 多結晶 ,  バンドギャップ ,  イオン衝突 ,  酸化スズ ,  電気伝導率 ,  フルエンス ,  イオン照射 ,  X線回折 ,  透過率 ,  *再結晶 ,  *炭素 ,  イオンフルエンス ,  炭素イオン ,  イオン照射効果 ,  ガラス基板

著者キーワード (4件)： ITO ,  イオン照射 ,  炭素 ,  放射線損傷

分類 (2件)： その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (3件)： 炭素 ,  ITO膜 ,  再結晶化