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J-GLOBAL ID：201702275391090861   整理番号：17A0700941

高出力有機垂直電界効果トランジスタに向けて:重要な設計パラメータ【Powered by NICT】

Toward High-Output Organic Vertical Field Effect Transistors: Key Design Parameters

著者 (6件)： Kwon Hyukyun (School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon, 34141, Republic of Korea) ,  Kim Mincheol (School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon, 34141, Republic of Korea) ,  Cho Hyunsu (School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon, 34141, Republic of Korea) ,  Moon Hanul (School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon, 34141, Republic of Korea. [e-mail]) ,  Lee Jongjin (Department of Physics and Research Institute for Green Energy, Convergence Technology (RIGET), Gyeongsang National University, Jinju, 52828, Republic of Korea. [e-mail]) ,  Yoo Seunghyup (School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon, 34141, Republic of Korea. [e-mail])
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 26  号： 38  ページ： 6888-6895  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： C_60ベース有機垂直電界効果トランジスタ(VFETs)の性能は,それらの動作機構をより良く理解するために,最終的には最大駆動能力の出力電流を高める重要な幾何学的パラメータの関数として調べた。この目的のために,2次元デバイスシミュレーションを行い,実験結果と比較した。結果によれば,出力電流は,ドレイン電極の幅であり,従来の横方向チャネルトランジスタにおけるチャネル幅に本質的に等価なほとんどスケールすることを明らかにしたが,ソース電極とソース電極下C_60層の厚さは,主に研究下での有機VFETs源接触制限挙動のために微妙ではあるが重要な役割を果たしている。本研究から得られた設計戦略により,オン/オフ比5.5×10~5と従来の側方チャネル有機電界効果トランジスタ(FET)におけるチャネル長1μm近傍に相当するオン電流とVFETを実証したが,VFETのドレイン幅と横方向チャネル有機FETのチャネル幅は同じであった。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： チャネル ,  電流 ,  電極 ,  *FET【トランジスタ】 ,  二次元
準シソーラス用語： チャネル長 ,  有機FET ,  チャネル幅 ,  デバイスシミュレーション ,  幾何学的パラメータ ,  *設計変数 ,  *高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： C60 ,  デバイスシミュレーション ,  有機エレクトロニクス ,  有機電界効果トランジスタ ,  垂直電界効果トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高出力 ,  垂直 ,  電界効果トランジスタ ,  設計パラメータ