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J-GLOBAL ID：201702275503686915   整理番号：17A0734879

ランダム静的メモリ低エネルギー中性子単一粒子反転効果【JST・京大機械翻訳】

Low-energy neutron-induced single-event upsets in static random access memory

著者 (8件)： Guo Xiaoqiang (Northwest Institute of Nuclear Technology) ,  Guo Hongxia (Northwest Institute of Nuclear Technology) ,  Wang Guizhen (Northwest Institute of Nuclear Technology) ,  Ling Dongsheng (Northwest Institute of Nuclear Technology) ,  Chen Wei (Northwest Institute of Nuclear Technology) ,  Bai Xiaoyan (Northwest Institute of Nuclear Technology) ,  Yang Shanchao (Northwest Institute of Nuclear Technology) ,  Liu Yan (Northwest Institute of Nuclear Technology)
資料名： Qiangjiguang yu Lizishu  (Qiangjiguang yu Lizishu)
巻： 21  号： 10  ページ： 1547-1550  発行年： 2009年 
JST資料番号： C2482A  ISSN： 1001-4322  CODEN： QYLIEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 中性子単一粒子反転の可視化分析法を確立し、異なる特徴サイズ(0.13~1.50ΜM)CMOSプロセスにおいて、ランダムな静的メモリ(SRAM)デバイスに対して、原子炉中性子単一粒子反転効果の実験研究を行った。SRAMデバイスの単一モード中性子の単一粒子の反転断面積が特徴サイズの変化によって変化する傾向を得た。研究結果は以下を示す。SRAMデバイスの特徴サイズが小さいほど、低エネルギー中性子による単一粒子反転に対する敏感性が高い。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 断面積 ,  原子炉 ,  *スタティックメモリ ,  可視化 ,  *中性子 ,  単一モード ,  SRAM
準シソーラス用語： 敏感性 ,  実験研究 ,  CMOSプロセス ,  *単一粒子 ,  *低エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： static random access memory ,  low-energy neutron ,  single-event upsets ,  reactor ,  feature size ,  critical charge

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 静的メモリ ,  低エネルギー ,  中性子 ,  単一粒子 ,  反転