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J-GLOBAL ID：201702275504931264   整理番号：17A0776548

半導体材料・デバイスの最新の進展 4.電着法による酸化亜鉛の薄膜および厚膜の成長

Recent Advancement of Semiconductor Materials and Devices IV: Zinc Oxide Thin and Thick Film Growth by Electrochemical Deposition

著者 (1件)： 宇野和行 (和歌山大学 システム工学部)
資料名： 材料  (Journal of the Society of Materials Science, Japan)
巻： 66  号： 4  ページ： 312-317(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： F0385A  ISSN： 0514-5163  CODEN： ZARYA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・電着法により,硝酸亜鉛水溶液を使って,ZnO結晶成長を行い,結晶粒の発生メカニズムの検討,位置選択成長,及びZnO厚膜成長について検討。
・基板としては,n-GaN,HOPGを使用。
・結晶配向性の原因となる要因の実験による検討,及び厚膜成長を目指した高配向性のZnO厚膜を得る試みを実施。
・基板がn-GaNのとき,光照射を行うことにより,成長時間にして最大120時間,厚さ140μmのZnO厚膜の成長に成功。
・成長時間20時間,厚さ26μmのX線ロッキングカーブ半値幅は評価装置の分解能である0.15°と良好なことが判明。

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  厚膜 ,  *電着 ,  基板 ,  窒化ガリウム ,  高配向性熱分解グラファイト ,  ロッキングカーブ ,  薄膜成長 ,  電気二重層 ,  *結晶方位
準シソーラス用語： HOPG ,  X線ロッキングカーブ ,  酸化物半導体 ,  結晶配向性

著者キーワード (5件)： ZnO ,  Electrochemical deposition ,  Electric double layer ,  Thin film growth ,  Thick film growth

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

引用文献 (25件)：

• 1) S. Gonda, “Advanced Electronics Series I-10: Molecular Beam Epitaxy”, (1994) Baifukan, M. A. Herman and H. Sitter, “Molecular Beam Epitaxy, Fundamentals and Current Status, 2nd ed.”, 2013 Springer.
• 2) G. B. Stringfellow,, “Organometallic Vapor-Phase Epitaxy, Theory and Practice, 2nd ed.”, 1998, Academic Press.
• 3) A. J. Bard and J. R. Faulkner, “Electrochemical Methods, Fundamentals and Applications, 2nd ed.”, (2001)Wiley, T.Watanabe, H. Masuda, K. Kanamura, T. Watanabe, H. Inoue, “Electrochemistry”, (2009) Maruzen, Y. Nakato, M. Fujihira, K. Uosaki, “Electrochemistry”, (2016) Tokyo Kagaku Dojin.
• 4) B. Miller and A. Heller, “Semiconductor liquid junction solar cells based on anodic sulphide films”, Nature, Vol. 262, pp.680-681
• 5) B. Miller, A. Heller, M. Robbins, S. Menezes, K. C. Chang, and J. Thomson Jr., “Solar Conversion Efficiency of Pressure Sintered Cadmium Selenide Liquid Junction Cells”, J. Electrochem. Soc., Vol. 124, Iss. 7, pp.1019-1021 (1977).

タイトルに関連する用語 (7件)： 半導体材料 ,  進展 ,  電着 ,  酸化亜鉛 ,  薄膜 ,  厚膜 ,  成長