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J-GLOBAL ID:201702275510860561   整理番号:17A0214205

低V_ce(sat)IGBTのための3次元スケーリング原理の実験的検証【Powered by NICT】

Experimental verification of a 3D scaling principle for low Vce(sat) IGBT
著者 (22件):
資料名:
巻: 2016  号: IEDM  ページ: 10.6.1-10.6.4  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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市販品(k=1)に関して3(k=3)のスケーリング因子を持つ三次元(3D)スケールIGBTを初めて作製した。スケーリングはゲート電圧と同様に横方向と垂直方向の次元に適用した。抵抗の顕著な減少は, Vce(sat)還元からの1.70~1.26Vの3DスケールIGBTのための実験的に確認した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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トランジスタ 

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