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J-GLOBAL ID：201702275627858577   整理番号：17A0704859

線欠陥を持つジグザグ型シリセンナノリボンにおけるエッジ水素化誘起スピンフィルタリングと負性微分抵抗効果【Powered by NICT】

Edge hydrogenation-induced spin-filtering and negative differential resistance effects in zigzag silicene nanoribbons with line defects

著者 (7件)： Li Xiaoteng (School of Physics, State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, People’s Republic of China. [e-mail] [e-mail]) ,  Zou Dongqing ,  Cui Bin ,  Fang Changfeng ,  Zhao Jingfen ,  Li Dongmei ,  Liu Desheng
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 41  ページ： 25244-25252  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理計算によりジグザグシリセンナノリボン(ZSiNR)の磁性とスピン輸送に及ぼす線欠陥(b558欠陥および欠陥)とエッジ水素化(モノ水素と脱水素化)の影響を調べた。線欠陥とエッジ水素化した欠陥ZSiNRにおけるエッジとinterredgeスピン分極を調整することができた。ZSiNRは線欠陥とエッジ水素化の調節を介して反強磁性(A FM)-金属,強磁性(FM)金属,A FMとFM半導体に形成することができる。さらに,100%スピン分極と負性微分抵抗(NDR)効果と完全スピンフィルタリング効果(SFE)は,著者らの提案したデバイスの脱水素化によって達成することができる。著者らの知見は,多様な線欠陥と端部水素化がZSiNRは,スピントロニクス応用のための有望な材料であることを示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： スピン分極 ,  スピントロニクス ,  反強磁性 ,  計算 ,  *水素 ,  *折れ線 ,  強磁性 ,  脱水素 ,  *水素化 ,  半導体 ,  磁性
準シソーラス用語： スピン輸送 ,  第一原理計算 ,  *負性微分抵抗 ,  *スピンフィルタリング ,  *線欠陥 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 線欠陥 ,  エッジ ,  水素化 ,  誘起 ,  スピンフィルタリング ,  負性微分抵抗