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J-GLOBAL ID：201702275668447498   整理番号：17A0664782

接触モード原子間力顕微鏡を用いたCVDグラフェン表面上の除去PMMA残基の影響【Powered by NICT】

Influence of removing PMMA residues on surface of CVD graphene using a contact-mode atomic force microscope

著者 (4件)： Choi Woosuk (Department of Nanotechnology, Advanced Material Engineering, Graphene Research Institute, Sejong University, Seoul, 143-747, Korea. [e-mail]) ,  Shehzad Muhammad Arslan ,  Park Sanghoon ,  Seo Yongho
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 12  ページ： 6943-6949  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン,六方晶窒化ホウ素(hBN)と遷移金属ジカルコゲナイド(TMD)のような2D材料に基づいたデバイス製作のために,ポリメタクリル酸メチル(PMMA)を通常の湿式移動とリソグラフィープロセスで使用されている。すべてのこれらの過程は重合体残留物の源,素子の固有の電気的および光学的性質を劣化させる。本研究では,化学蒸着成長させたグラフェンの表面モルホロジーと電気的挙動に及ぼす接触モード原子間力顕微鏡(A FM)による機械的洗浄の影響を報告した。走査した大きな接触力を用いたA FMチップと,PMMAの残基を除去した多重走査。Ramanマッピングは,A FMを用いた洗浄効果を確認するために導入した。清浄グラフェンに基づく電界効果トランジスタデバイスに関連した相互コンダクタンス特性を分析した。電荷中性点は零ゲート電圧へシフトし,電荷キャリア移動度が増加したことが観察された。により,本手法は,少ない高分子残基と高効率を持つ素子を作製する容易な経路を提供することを主張した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ポリメタクリル酸メチル ,  キャリア移動度 ,  走査 ,  *原子間力顕微鏡 ,  電荷 ,  光学的性質 ,  FET【トランジスタ】 ,  化学蒸着 ,  *グラフェン ,  相互コンダクタンス
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  表面形態 ,  六方晶窒化ホウ素 ,  *残基 ,  *コンタクトモード , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  顕微鏡法  (BK01040E) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 接触モード ,  原子間力顕微鏡 ,  CVD ,  グラフェン ,  PMMA ,  残基