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J-GLOBAL ID:201702276074037465   整理番号:17A0704428

単一非極性GaNマイクロワイヤの光ルミネセンスとレーザ発振特性【Powered by NICT】

Photoluminescence and lasing characteristics of single nonpolar GaN microwires
著者 (7件):
資料名:
巻:号: 35  ページ: 21541-21546  発行年: 2017年 
JST資料番号: U7055A  ISSN: 2046-2069  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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非極性a軸GaN MWは,触媒の助けなしに有機金属化学蒸着(MOCVD)によりパターン形成したSi基板上に作製した。単一GaN MWの温度依存光ルミネセンス(PL)特性を包括的に検討した。90~Kの温度以下では,中性ドナー束縛励起子(D~0X)線はスペクトルで支配的であり,一方自由励起子遷移は90K以上の温度で支配的である。GaN MWの光学的性質は約375nmのピークと約120kW cm~ 2の対応するレーザ発振しきい値をもつ多モード誘導増幅された発光を示した。さらに,GaN MWのレーザ発振特性を有限差分時間領域(FDTD)法により調べた。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (2件):
分類
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半導体のルミネセンス  ,  半導体薄膜 

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