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J-GLOBAL ID：201702276074037465   整理番号：17A0704428

単一非極性GaNマイクロワイヤの光ルミネセンスとレーザ発振特性【Powered by NICT】

Photoluminescence and lasing characteristics of single nonpolar GaN microwires

著者 (7件)： Yan S. S. (Guangdong Provincial Key Laboratory of Nanophotonic Functional Materials and Devices, Institute of Opto-electronic Materials and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China. [e-mail]) ,  Chen A. Q. ,  Wu Y. Y. ,  Zhu H. ,  Wang X. H. ,  Ling C. C. ,  Su S. C.
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 35  ページ： 21541-21546  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非極性a軸GaN MWは,触媒の助けなしに有機金属化学蒸着(MOCVD)によりパターン形成したSi基板上に作製した。単一GaN MWの温度依存光ルミネセンス(PL)特性を包括的に検討した。90~Kの温度以下では,中性ドナー束縛励起子(D~0X)線はスペクトルで支配的であり,一方自由励起子遷移は90K以上の温度で支配的である。GaN MWの光学的性質は約375nmのピークと約120kW cm~ 2の対応するレーザ発振しきい値をもつ多モード誘導増幅された発光を示した。さらに,GaN MWのレーザ発振特性を有限差分時間領域(FDTD)法により調べた。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ドナー ,  *光ルミネセンス ,  パターン形成 ,  *非極性 ,  *レーザ発振 ,  光学的性質 ,  *窒化ガリウム ,  温度依存性 ,  スペクトル ,  MOCVD ,  有限差分時間領域法 ,  束縛励起子 ,  シリコンウエハ ,  *マイクロワイヤ
準シソーラス用語： 自由励起子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 非極性 ,  GaN ,  マイクロワイヤ ,  光ルミネセンス ,  レーザ ,  発振特性