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J-GLOBAL ID：201702276201789992   整理番号：17A0731028

高出力980NM INGAAS/INGAASP/INGAPレーザの熱特性を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Thermal Property of High Power 980 nm InGaAs/InGaAsP/InGaP Laser Diodes

著者 (6件)： Qiu Liping (Beijing University of Technology) ,  Guo Weiling (Beijing University of Technology) ,  Luo Dan (Beijing University of Technology) ,  Cui Bifeng (Beijing University of Technology) ,  Zhang Lei (Beijing University of Technology) ,  Shen Guangdi (Beijing University of Technology)
資料名： Zhongguo Jiguang  (Zhongguo Jiguang)
巻： 36  号： 6  ページ： 1356-1359  発行年： 2009年 
JST資料番号： C5022A  ISSN： 0258-7025  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 低電圧金属有機化学気相堆積(LP-MOCVD)を用いて,980NMのINGAAS/INGAASP/INGAP単結晶量子井戸(SQW)レーザを成長させた。30~70°Cの温度範囲において,2つの異なる材料を有するアルミニウム SQW SQWレーザのP-I-V特性曲線を測定した。2つの材料の980NMのレーザ出力パワー,閾値電流,スロープ効率,およびレーザ発振波長の変化を比較し,INGAAS/INGAASP/INGAPレーザの信頼性実験を行った。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  *レーザ ,  特性曲線 ,  単結晶 ,  レーザ出力 ,  *熱特性 ,  信頼性 ,  量子井戸
準シソーラス用語： スロープ効率 ,  閾値電流 ,  温度範囲 ,  低電圧 ,  *高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： lasers ,  high power laser ,  thermal characteristics ,  Al-free ,  characteristic temperature

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高出力 ,  InGaAs ,  InGaAsP ,  InGaP ,  レーザ ,  熱特性 ,  研究