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J-GLOBAL ID：201702276365371230   整理番号：17A0755436

水分解のためのAlN/BPヘテロ構造光触媒【Powered by NICT】

AlN/BP Heterostructure Photocatalyst for Water Splitting

著者 (8件)： Yang Qun (Key Laboratory of Optoelectronic Technology & Systems, Education Ministry of China, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Tan Chun-Jian (Key Laboratory of Optoelectronic Technology & Systems, Education Ministry of China, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Meng Rui-Shen (Key Laboratory of Optoelectronic Technology & Systems, Education Ministry of China, Chongqing University, Chongqing, China) ,  Jiang Jun-Ke (Faculty of Electromechanical Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin, China) ,  Liang Qiu-Hua (Faculty of Electromechanical Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin, China) ,  Sun Xiang (Faculty of Electromechanical Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin, China) ,  Yang Dao-Guo (Faculty of Electromechanical Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin, China) ,  Chen Xianping (Key Laboratory of Optoelectronic Technology & Systems, Education Ministry of China, Chongqing University, Chongqing, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 1  ページ： 145-148  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,青色ホスホレン(BP)とグラフェン状窒化アルミニウム(AlN)ナノ複合材料の構造特性,電子特性および光学特性を,第一原理法により調べた。BP及びAlN単分子層の間接バンドギャップ特性にもかかわらず,AlN/BPヘテロ構造が最も安定なパターンの直接バンドギャップ特性を示した。さらに,最大原子価および最低伝導バンドの光学的活性状態は反対の単分子層上に局在し,自動的に分離された(第二種バンド配列)電子と正孔,光触媒効率を増強するとなっていることを見出した。最も興味深いことに,AlN/BP異種二層は可視及びUV光領域における増強された光学特性は,純粋なBP 全体,適切な直接ギャップとバンド端位置,II型バンドアラインメント,魅力的な可視及びUV光吸収にも優れており,これはAlN/BPヘテロ構造は太陽エネルギー変換と光触媒水分解の分野で大きな潜在的応用を可能にすることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 正孔 ,  光学的性質 ,  グラフェン ,  第一原理 ,  *窒化アルミニウム ,  ナノ複合材料 ,  紫外線 ,  単分子層 ,  *光触媒 ,  伝導バンド ,  構造特性
準シソーラス用語： バンドアライメント ,  間接バンドギャップ ,  *ヘテロ構造 ,  *水分解 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 水分解 ,  AlN ,  BP ,  ヘテロ構造 ,  光触媒