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J-GLOBAL ID：201702276597708929   整理番号：17A0449006

ゲート電圧調整による表面原子配位子交換PbS量子ドットにおける電気伝導型の変換【Powered by NICT】

Converting electrical conductivity types in surface atomic-ligand exchanged PbS quantum dots via gate voltage tuning

著者 (10件)： Mi Longfei (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei, Anhui, 230009, PR China) ,  Wang Hui (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei, Anhui, 230009, PR China) ,  Zhang Yan (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei, Anhui, 230009, PR China) ,  Yao Xudong (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei, Anhui, 230009, PR China) ,  Chang Yajing (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei, Anhui, 230009, PR China) ,  Li Guopeng (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei, Anhui, 230009, PR China) ,  Lei chen (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei, Anhui, 230009, PR China) ,  Li Guohua (School of Electronics and Information Engineering, Anhui University, Hefei, Anhui, 230601, PR China) ,  Li Guohua (Key Laboratory of Intelligent Computing and Signal Processing of Ministry of Education, Hefei, Anhui, 230039, PR China) ,  Jiang Yang (School of Materials Science and Engineering, Hefei University of Technology, Hefei, Anhui, 230009, PR China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 699  ページ： 866-873  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,PbS量子ドット(QD)の交換表面原子配位子の電気伝導率型変換のユニークな現象を観測した,PbS QDベース薄膜電界効果トランジスタ(TFT)のゲート電圧を調整した。合成したPbS量子ドット薄膜をゲート電圧掃引方向に依存して異なる伝導率(もp-)型を示した。負から正の電圧にゲート電圧を増加させると,TFTデバイスは,μ_10~ 1cm~2V~ 1s~ 1オーダの典型的な移動度をもつn-チャネル特性を生成した。対照的に,ゲート電圧を掃引正から負へと素子は類似の移動度を持つpチャネル特性を示した。密度汎関数理論(DFT)理論計算とX線光電子分光法(XPS)測定に基づく研究は,配位子交換PbS QDsのバンドギャップはゲート電圧掃引に変化し,付着したBr~-によるQDの表面状態に影響し,したがって材料の伝導型を変化させることを示した。これらの知見は,原子配位子交換QD薄膜におけるゲート電圧調整によるキャリア型スイッチング挙動を示し,高度な新世代ナノ電子デバイスのためのQDの大きな応用の可能性を示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 移動度 ,  *量子ドット ,  X線光電子分光法 ,  *電気伝導 ,  バンドギャップ ,  *配位子交換 ,  密度汎関数法 ,  電気伝導率 ,  *電圧 ,  *硫化鉛 ,  薄膜
準シソーラス用語： 電子素子 ,  理論計算 ,  伝導率 ,  *ゲート電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 硫化鉛 ,  量子ドット ,  伝導率型 ,  TFT

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： ゲート ,  電圧調整 ,  原子 ,  配位子交換 ,  PbS ,  量子ドット ,  電気伝導