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J-GLOBAL ID：201702276664893708   整理番号：17A0704249

全高分子太陽電池のための狭いバンドギャップ高分子を構築するための受容体としてのチオフェン縮合benzoxadizoleの設計【Powered by NICT】

Designing a thiophene-fused benzoxadizole as an acceptor to build a narrow bandgap polymer for all-polymer solar cells

著者 (4件)： Yang Yang (Hubei Key Laboratory on Organic and Polymeric Opto-electronic Materials, College of Chemistry and Molecular Sciences, Wuhan University, Wuhan 430072, China. [e-mail]) ,  Wang Jiacheng ,  Zhan Xiaowei ,  Chen Xingguo
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 32  ページ： 19990-19995  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,チオフェン縮合benzoxadizole(BXT)ユニットを新しいアクセプタとして設計され,全ての高分子太陽電池(全てのPSC)の4,4,9,9-テトラキス(4-ヘキシルフェニル)-4,9-ジヒドロ-s-indaceno[1,2-b:5,6-b′]ジチオフェン(IDT)とD-A共役高分子(PBXT IDT)を構築するために初めて合成した。BXT単位の強い電子吸引能力のために,PBXT IDTは可視吸収領域におけるポリ(3 ヘキシルチオフェン)(されたP3TH)と相補的であることを500 850nmの範囲で1.43eVと非常に強いICT吸収の非常に狭い光学バンドギャップを示した。PBXT IDTは 5.33eVと 3.64eVの比較的低いHOMO-LUMOエネルギー準位を示し,それぞれ,全てのPSCのための電子供与性材料としてP3HTと一致する電子受容性材料として作用することができる。,活性層としてPBXT IDTとP3HTの混合物を全てのPSC素子を作製し,光起電力性能を調べた。素子は,0.84Vの高いV_ocと0.59Vの比較的低いエネルギー損失(E_loss)で1.09%のPCEを示した。benzoxadizole(BX)の合理的な構造修飾は全てのPSCにおける電子受容材料として高分子を設計するための新しい道を開くことができることを示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： LUMO ,  *受容体 ,  光起電力 ,  エネルギー準位 ,  *縮合反応 ,  エネルギー損失 ,  光学ギャップ ,  *バンドギャップ ,  アクセプタ ,  化学合成 ,  HOMO ,  *高分子 ,  活性層
準シソーラス用語： 共役重合体 ,  *高分子太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高分子太陽電池 ,  バンドギャップ ,  高分子 ,  構築 ,  受容体 ,  チオフェン ,  縮合 ,  設計