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J-GLOBAL ID：201702276747494894   整理番号：17A0314051

ab initio法を用いた半ホイスラー合金の構造的,電子的および磁気的性質FeVX(X=Si, Ge, Sn)のスピン分極計算【Powered by NICT】

Spin-polarized calculations of structural, electronic and magnetic properties of Half Heusler alloys FeVX (X=Si, Ge, Sn) using Ab-initio method

著者 (6件)： Sattar M. Atif (Department of Physics Simulation Lab, The Islamia University of Bahawalpur, 63100, Pakistan) ,  Rashid Muhammad (Department of Physics, COMSATS Institute of Information Technology, 44000 Islamabad, Pakistan) ,  Hashmi M. Raza (Department of Physics Simulation Lab, The Islamia University of Bahawalpur, 63100, Pakistan) ,  Rasool M. Nasir (Department of Physics Simulation Lab, The Islamia University of Bahawalpur, 63100, Pakistan) ,  Mahmood Asif (College of Engineering, Chemical Engineering Department, King Saud University, Riyadh, Saudi Arabia) ,  Ahmad S.A. (Department of Physics Simulation Lab, The Islamia University of Bahawalpur, 63100, Pakistan)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 51  ページ： 48-54  発行年： 2016年08月15日 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,半ホイスラーFeVX(X=Si,Ge,Sn)化合物の新しい一連の電子および磁気特性を調べるために利用されている密度汎関数理論に基づくab initio計算。三原子配置におけるこれらの材料のC1_b型構造,α,β及びγ相と呼ばれるを考慮した,最も安定な幾何学的構造を見出すために。全三相の構造特性を決定し,スピン分極の影響を研究した。計算した電子的性質は,研究中の研究材料である半金属(HM)強磁性体とα相中で安定であることを示唆した。FeVX材料のHM応答のより良い記述のための機能的変更されたBecke-Johnson(mBJ)局所スピン密度近似を採用した。FeVX化合物のHM性質は格子定数の広い範囲に対してロバストであり,これらの材料は,スピントロニクス応用に適していることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： γ相 ,  半金属 ,  密度汎関数法 ,  ロバスト性 ,  強磁性体 ,  スピントロニクス ,  構造特性 ,  *スピン分極 ,  α相 ,  *ab initio法 ,  強磁性 ,  格子定数
準シソーラス用語： 原子配置 ,  第一原理計算 ,  *半ホイスラー合金 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 半ホイスラー化合物 ,  半金属強磁性 ,  電子構造 ,  密度汎関数理論

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： 半ホイスラー合金 ,  電子 ,  磁気的性質 ,  Ge ,  Sn ,  スピン分極 ,  計算