文献

J-GLOBAL ID：201702276952385408   整理番号：17A0162572

SIN2/2ヘテロ接合バイポーラトランジスタの熱安定性に及ぼすSIN不動態化の影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Effect of SiN Passivation on the Thermal Stability of InGaAs/InP DHBTs

著者 (6件)： Xie Junling (Nanjing Electronic Devices Institute, Science and Technology on Monolithic Integrated Circuitsand Modules Laboratory) ,  Cheng Wei (Nanjing Electronic Devices Institute, Science and Technology on Monolithic Integrated Circuitsand Modules Laboratory) ,  Wang Yuan (Nanjing Electronic Devices Institute, Science and Technology on Monolithic Integrated Circuitsand Modules Laboratory) ,  Chang Long (Nanjing Electronic Devices Institute, Science and Technology on Monolithic Integrated Circuitsand Modules Laboratory) ,  Niu Bin (Nanjing Electronic Devices Institute, Science and Technology on Monolithic Integrated Circuitsand Modules Laboratory) ,  Chen Tangsheng (Nanjing Electronic Devices Institute, Science and Technology on Monolithic Integrated Circuitsand Modules Laboratory)
資料名： Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan  (Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan)
巻： 36  号： 5  ページ： 424-428,405  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2084A  ISSN： 1000-3819  CODEN： GDYJE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 熱応力下でのINP/INPヘテロ接合バイポーラトランジスタ(DHBT)の信頼性を報告した。250°Cの応力と1000時間の応力時間での不動態化ととのための加速寿命試験を実施した。GUMMEL曲線から,なかったの電流利得は48時間の応力時間で18.3%減少し,一方,不動態化デバイスは1000時間の応力時間で1.6%だけ減少することが分かった。これらの結果は,SIN薄膜の表面不動態化技術が,INPHBTの信頼性を効果的に向上させることを示して,それは,INPと装置の実用化にとって非常に重要であった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 薄膜 ,  *熱安定性 ,  信頼性 ,  *不動態化 ,  熱応力 ,  *HBT【トランジスタ】
準シソーラス用語： 表面不動態化 ,  電流利得 ,  加速劣化試験 ,  DHBT , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： reliability ,  thermal stress ,  storage accelerated aging test ,  InP ,  double heterojunction bipolar transistor (DHBT)

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ,  熱安定性 ,  SiN ,  不動態化 ,  研究