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J-GLOBAL ID：201702276991195540   整理番号：17A0755428

先端銅相互接続におけるバイア抵抗低減【Powered by NICT】

Via Resistance Reduction in Advanced Copper Interconnects

著者 (6件)： Yang C.-C. (IBM Research, Albany, NY, USA) ,  Spooner T. (IBM Research, Albany, NY, USA) ,  Mclaughlin P. (IBM Research, Albany, NY, USA) ,  Quon R. (IBM Research, Albany, NY, USA) ,  Standaert T. (IBM Research, Albany, NY, USA) ,  Edelstein D. (IBM Research, Albany, NY, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 1  ページ： 115-118  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu相互接続におけるバイア抵抗低減は純Taの裏地を堆積する前に予備ライニング誘電体窒化プロセスにより達成された。TaNを置換従来ライナスタック中のTaによる抵抗によるCuを減少させるが,窒化処理は,相互接続の完全性と信頼性を維持する。予備ライニング誘電体窒化過程の接着試験,パラメトリック測定,およびエレクトロマイグレーション評価を含む包括的評価は,先進ノードCu/ultralow Kオブザライン相互接続におけるバイア抵抗低減の実現可能性を確認するために実施した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 接着試験 ,  タンタル ,  *銅 ,  エレクトロマイグレーション ,  ライニング ,  完全性 ,  *相互接続 ,  誘電体 ,  信頼性 ,  窒化
準シソーラス用語： *抵抗低減 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 銅 ,  相互接続 ,  抵抗低減