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J-GLOBAL ID:201702277028371288   整理番号:17A0883501

オンチップ集積量子ドット窒化けい素マイクロディスクレーザ【Powered by NICT】

On-Chip Integrated Quantum-Dot-Silicon-Nitride Microdisk Lasers
著者 (11件):
資料名:
巻: 29  号: 16  ページ: ROMBUNNO.201604866  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0001A  ISSN: 0935-9648  CODEN: ADVMEW  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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直径7μmと27μJ cm~ 2の記録的低しきい値密度による受動SiN出力導波路に結合したハイブリッド窒化けい素(SiN)-量子ドット(QD)マイクロレーザを実証した。新しい設計と処理方式は長期安定性を提供し,詳細なQD材料及びデバイス評価を容易にし,それによってコロイド状QDに基づく光通信,センシング,オンチップ共振器量子光学のための新しい経路を開いた。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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原子・分子のクラスタ  ,  測光と光検出器一般  ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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