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J-GLOBAL ID：201702277088182754   整理番号：17A0662478

層間誘導されたZnOナノロッド/「CuSヘテロ接合の光応答特性の増強【Powered by NICT】

Interlayer Induced the Enhancement of Photoresponse Performance for ZnO Nanorods/”CuS Heterojunction

著者 (8件)： Mei Jun (Hubei Collaborative Innovation Center for Advanced Organic Chemical Materials, Hubei Key Laboratory of Ferroelectric and Dielectric Materials and Devices, Faculty of Physics and Electronic Science, Hubei University, Wuhan, China) ,  Zhou Hai (Hubei Collaborative Innovation Center for Advanced Organic Chemical Materials, Hubei Key Laboratory of Ferroelectric and Dielectric Materials and Devices, Faculty of Physics and Electronic Science, Hubei University, Wuhan, China) ,  Ye Cong (Hubei Collaborative Innovation Center for Advanced Organic Chemical Materials, Hubei Key Laboratory of Ferroelectric and Dielectric Materials and Devices, Faculty of Physics and Electronic Science, Hubei University, Wuhan, China) ,  Yang Lu (Hubei Collaborative Innovation Center for Advanced Organic Chemical Materials, Hubei Key Laboratory of Ferroelectric and Dielectric Materials and Devices, Faculty of Physics and Electronic Science, Hubei University, Wuhan, China) ,  Song Zehao (Hubei Collaborative Innovation Center for Advanced Organic Chemical Materials, Hubei Key Laboratory of Ferroelectric and Dielectric Materials and Devices, Faculty of Physics and Electronic Science, Hubei University, Wuhan, China) ,  Wang Hao (Hubei Collaborative Innovation Center for Advanced Organic Chemical Materials, Hubei Key Laboratory of Ferroelectric and Dielectric Materials and Devices, Faculty of Physics and Electronic Science, Hubei University, Wuhan, China) ,  Wen Shuiguo (Guizhou Provincial Key Laboratory of Computational Nanomaterial Science, Synergetic Innovation Center of Scientific Big Data for Advanced Manufacturing Technology, Guizhou Education University, Guiyang, China) ,  Fang Guojia (Key Lab of Acoustic and Photonic Materials and Devices of Ministry of Education, Department of Electronic Science and Technology, School of Physical Science and Technology, Wuhan University, Wuhan, China)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 23  号： 2  ページ： ROMBUNNO.3800205.1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁MgO中間層を有する界面n-ZnOナノロッドに基づく増強光検出器/「p CuSヘテロ接合を水熱法により調製した。て種々検討の結果,ZnO NRとCuSの界面の間に挿入されたMgO膜の助けを借りて,デバイスは,より高いphotodetectivityとより迅速な光応答速度を示した。n-ZnOナノロッドに対して/「MgO中間層を有するp CuSヘテロ接合,検出感度~2×10~13cmHz~1に達した/「2/「 5Vで~500nmでのW,n-ZnO NR/より~7倍大きい「p CuSヘテロ接合素子(2.9×10~12cmHz~1/「2/「W)。エネルギーバンド理論解析により,絶縁MgO層は,ZnO NRとCuS間に挿入した場合改良された性能は,向上した界面,界面障壁の増強とキャリア再結合の減少に起因した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化マグネシウム ,  キャリア再結合 ,  *ナノロッド ,  *ヘテロ接合 ,  光検出器 ,  界面 ,  水熱合成 ,  *応答特性 ,  *酸化亜鉛
準シソーラス用語： 理論解析 ,  エネルギー帯 ,  検出能 ,  *光応答 ,  中間層 ,  *酸化亜鉛ナノロッド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 誘導 ,  ZnOナノロッド ,  ヘテロ接合 ,  光応答 ,  増強