文献

J-GLOBAL ID：201702277094812589   整理番号：17A0736265

故障デバイス分析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of Device Failure

著者 (2件)： Zou Ziying (Shanghai Institute of Measurement and Testing Technology) ,  Wu Xiaohong (Shanghai Institute of Measurement and Testing Technology)
資料名： Bandaoti Jishu  (Bandaoti Jishu)
巻： 34  号： 10  ページ： 965-967  発行年： 2009年 
JST資料番号： C2378A  ISSN： 1003-353X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： ASドープSIチップの抵抗率は10(-3)ΩCMに低下し,層の基板材料として用いることができ,これらのデバイスを用いることにより,正の圧力低下の半導体デバイスにおいて,ガスの自己ドーピングを容易にした。特に,同型エピタキシャルの場合には,固体外拡散現象が存在し,デバイス製造プロセスにおいてプロセスパラメータの偏差が生じやすく,デバイスの性能が低下し,深刻な場合にはデバイスの故障が起こり,基板材料も価格の高いポスト処理プロセスSIチップを選ぶことができる。それは,後続の加工技術によって生じる多くの欠陥を効果的に抑制することができた。いくつかの工場で製造された電気パラメータの性能低下の原因を分析し、AS重ドーピングSI片為Chen底の層中の基板不純物がデバイスの品質に与える影響を分析した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： プロセスパラメータ ,  不純物 ,  エピタクシー ,  *故障 ,  品質 ,  ドーピング ,  半導体素子 ,  生産工程 ,  電気抵抗率
準シソーラス用語： 性能劣化 ,  加工技術 ,  オートドーピング ,  基板材料 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： highly As-doped ,  epitaxial ,  substrate ,  impurity ,  resistivity

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： 故障 ,  分析