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J-GLOBAL ID：201702277214637228   整理番号：17A0442075

シリコン基板上のグラフェン酸化物膜の脱水挙動と構造進化【Powered by NICT】

Dehydration behaviour and structural evolution of graphene oxide membranes on silicon substrate

著者 (11件)： Wang Rui (Department of Chemistry, College of Sciences, Shanghai University, Shanghai, 200444, China) ,  Wang Rui (Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 201204, China) ,  Gao Hui (Key Laboratory for Magnetism and Magnetic Materials of the Ministry of Education, Lanzhou University, Lanzhou, 730000, China) ,  Zhu Daming (Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 201204, China) ,  Yang Tieying (Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 201204, China) ,  Zhang Xingmin (Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 201204, China) ,  Li Li (Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 201204, China) ,  Yin Guangzhi (Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 201204, China) ,  Zhu Lina (Shanghai Institute of Measurement and Testing Technology, Shanghai, 201203, China) ,  Feng Zhenjie (Department of Physics, College of Sciences, Shanghai University, Shanghai, 200444, China) ,  Li Xiaolong (Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 201204, China)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 114  ページ： 23-30  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン酸化物(GO)の脱水速度論をその場二次元すれすれ入射X線回折により調べた。GO膜の層間隔は徐々に減少しアニーリング温度が増加すると,時間の経過とともに見出した。驚いたことに,層間距離約15.2Åの,GO膜の中間層への二付加層の水のインターカレーションによって引き起こされた25°Cで中間体「水」GO層の形成を観察した。さらに,GO中にトラップされた水の三タイプが様々な温度での等温アニーリングで明らかに区別された。160°C以下では,「バルク水」と「閉じ込められた水」の除去は,より小さな層間隔と酸素含有官能基の保存をもたらした。160°Cまたはそれ以上では,「結合水」除去され,酸素含有官能基が失われたが,これはGOの還元に寄与した。ここで研究したGOの脱水挙動と構造変化を理解するために,透過,分離及び電子的応用のためのGO膜の性質を制御する有用である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： インターカレーション ,  層間隔 ,  *グラフェン ,  速度論 ,  *酸化膜 ,  焼なまし ,  二次元 ,  *脱水
準シソーラス用語： 構造変化 ,  官能基 ,  中間層 ,  アニーリング温度 ,  すれすれ入射X線回折 ,  *構造進化 ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン基板 ,  グラフェン ,  酸化物膜 ,  脱水 ,  挙動 ,  構造進化