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J-GLOBAL ID：201702277214913750   整理番号：17A0318678

純粋および遷移元素(TM)をドープした(TM=Ti,Y,ZrまたはHf)L1_2Al_3Sc中の空格子点欠陥を介する原子拡散【Powered by NICT】

Atomic diffusion mediated by vacancy defects in pure and transition element (TM)-doped (TM=Ti, Y, Zr or Hf) L1₂ Al₃Sc

著者 (5件)： Shi Tao-Tao (School of Chemistry and Chemical Engineering, Guangxi University, Nanning 530004, China) ,  Wang Jia-Ning (School of Chemistry and Chemical Engineering, Guangxi University, Nanning 530004, China) ,  Wang Ya-Ping (School of Chemistry and Chemical Engineering, Guangxi University, Nanning 530004, China) ,  Wang Hai-Chen (School of Chemistry and Chemical Engineering, Guangxi University, Nanning 530004, China) ,  Tang Bi-Yu (School of Chemistry and Chemical Engineering, Guangxi University, Nanning 530004, China)
資料名： Materials & Design  (Materials & Design)
巻： 108  ページ： 529-537  発行年： 2016年 
JST資料番号： A0495B  ISSN： 0264-1275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 純粋および遷移元素(TM=Ti,Y,ZrまたはHf)をドープしたAl_3Scにおける原子拡散は空格子点媒介拡散経路に沿って主に研究されてきた。点欠陥形成エネルギーを決定した後に,主要な拡散経路のエネルギープロフィルを登頂イメージ漸進弾性バンド法を用いて得た。エネルギー結果は,Al空孔によって媒介される最近接ジャンプによるAl原子拡散には最も低い活性化障壁のために最も有利である,他の拡散過程は高い活性化障壁または不安定最終状態に起因して非常に小さな寄与となることを示した。優性Sc原子拡散機構をScリッチ条件下でAlリッチ条件と反構造副格子機構下でAl空格子点媒介最近接ジャンプした。ジャンプサイクルと次の最近接ジャンプは高い活性化障壁を持つ大きく制限された。さらに,原子拡散に典型的な遷移元素(Ti,Y,ZrまたはHf)ドーピングの影響をさらに研究した。支配的な拡散機構の活性化障壁はZr<Hf<Ti<Yドーパントの配列における原子サイズ不整合の増加と共に増加した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 副格子 ,  画像 ,  拡散過程 ,  ドーパント ,  弾性 ,  *点欠陥 ,  不整合 ,  *アルミニウム ,  *ドーピング ,  *スカンジウム
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  活性化障壁 ,  形成エネルギー ,  拡散経路 ,  *原子拡散 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 第一原理計算 ,  空格子点欠陥 ,  原子拡散 ,  活性化障壁 ,  ドーパント効果

分類 (2件)： 機械的性質  (WB02030U) ,  変態組織,加工組織  (WB01030N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 遷移元素 ,  Tm ,  ドープ ,  Zr ,  HF ,  空格子点 ,  欠陥 ,  原子拡散