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J-GLOBAL ID：201702277228972714   整理番号：17A0448413

外部非共鳴強レーザ場によって調整された二重量子井戸における電子Raman散乱【Powered by NICT】

Electron Raman scattering in a double quantum well tuned by an external nonresonant intense laser field

著者 (10件)： Tiutiunnyk A. (Centro de Investigacion en Ciencias-IICBA, Universidad Autonoma del Estado de Morelos, Av. Universidad 1001, CP 62209, Cuernavaca, Morelos, Mexico) ,  Tiutiunnyk A. (Grupo de Materia Condensada-UdeA, Instituto de Fisica, Facultad de Ciencias Exactas y Naturales, Universidad de Antioquia UdeA, Calle 70 No. 52-21, Medellin, Colombia) ,  Mora-Ramos M.E. (Centro de Investigacion en Ciencias-IICBA, Universidad Autonoma del Estado de Morelos, Av. Universidad 1001, CP 62209, Cuernavaca, Morelos, Mexico) ,  Morales A.L. (Grupo de Materia Condensada-UdeA, Instituto de Fisica, Facultad de Ciencias Exactas y Naturales, Universidad de Antioquia UdeA, Calle 70 No. 52-21, Medellin, Colombia) ,  Duque C.M. (Grupo de Materia Condensada-UdeA, Instituto de Fisica, Facultad de Ciencias Exactas y Naturales, Universidad de Antioquia UdeA, Calle 70 No. 52-21, Medellin, Colombia) ,  Restrepo R.L. (Universidad EIA, CP 055428, Envigado, Colombia) ,  Ungan F. (Faculty of Technology, Department of Optical Engineering, Cumhuriyet University, 58140, Sivas, Turkey) ,  Martinez-Orozco J.C. (Unidad Academica de Fisica, Universidad Autonoma de Zacatecas, Calzada Solidaridad esquina con Paseo la Bufa S/N, CP 98060, Zacatecas, Zac., Mexico) ,  Kasapoglu E. (Faculty of Science, Department of Physics, Cumhuriyet University, 58140, Sivas, Turkey) ,  Duque C.A. (Grupo de Materia Condensada-UdeA, Instituto de Fisica, Facultad de Ciencias Exactas y Naturales, Universidad de Antioquia UdeA, Calle 70 No. 52-21, Medellin, Colombia)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 64  ページ： 496-501  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,結合したGaAs-(Ga,Al)As量子井戸におけるサブバンド間電子遷移を含む非弾性光散乱の研究を提示した。計算は電子関連Raman微分断面積とRaman利得を含む。外部非共鳴強レーザ場の効果をこれらの出力特性を調整するために使用されている。閉じ込められた電子状態を有効質量と放物線バンド近似の範囲内で対角化法を用いて記述した。強いレーザ場の適用は,400cm~ 1以上のサブバンド間電子Raman利得の値を生成することができることを示した。ここで提案したシステムは,外部非共鳴強レーザ場によって調整できることをAl_Ga_1として半導体レーザダイオードの開発のための代替選択である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *Raman散乱 ,  *共鳴 ,  ヒ化ガリウム ,  対角化 ,  電子状態 ,  *量子井戸 ,  微分断面積 ,  有効質量 ,  電子遷移
準シソーラス用語： 出力特性 ,  Raman利得 ,  非弾性光散乱 ,  サブバンド ,  *二重量子井戸 ,  *レーザ場 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 強いレーザ場 ,  量子井戸 ,  Raman散乱

分類 (2件)： 固体レーザ  (BD04080W) ,  非線形光学  (BD05000T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 共鳴 ,  レーザ場 ,  二重量子井戸 ,  電子Raman散乱