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J-GLOBAL ID：201702277430710015   整理番号：17A0205992

多層ReSe2/MoS_2p-nヘテロ接合の整流増強された輸送特性と光電流発生【Powered by NICT】

Enhanced rectification, transport property and photocurrent generation of multilayer ReSe2/MoS_2 p-n heterojunctions

著者 (9件)： Wang Xiaoting (Institute of semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Huang Le (Institute of semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Peng Yuting (Physics and Electronic Engineering College, Henan Normal University) ,  Huo Nengjie (Institute of semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Wu Kedi (School for Engineering of Matter, Transport and Energy, Arizona State University) ,  Xia Congxin (Physics and Electronic Engineering College, Henan Normal University) ,  Wei Zhongming (Institute of semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Tongay Sefaattin (School for Engineering of Matter, Transport and Energy, Arizona State University) ,  Li Jingbo (Institute of semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Nami Yanjiu  (Nami Yanjiu)
巻： 9  号： 2  ページ： 507-516  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2652A  ISSN： 1998-0124  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： van der Waals(vdW)ヘテロ接合は弱い,層間vdW力に起因するダングリングボンドを回避し,二次元層状構造のための強い面内共有結合を確実にするために装備されている。p型歪んだ1T MX2ReSe_2とn型六方晶MoS_2ナノフレークに基づく種々の層の四ヘテロ接合素子を作製し,それらの電子構造及び光電子特性を測定した。デバイスはダイオードの500の高い整流係数,個々の成分と比較して電界効果トランジスタ(FET)用の高いオン/オフ比と高い電子移動度,及び光検出器に対して,それぞれ,6.75A/Wと1,266%の高い電流応答(R_λ)と外部量子効率(EQE)を示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 共有結合 ,  *ヘテロ接合 ,  光電子 ,  ダングリングボンド ,  六方晶系 ,  *整流 ,  二次元 ,  層状組織 ,  *光電流
準シソーラス用語： 外部量子効率 ,  電流応答 ,  電子移動度 ,  ナノフレーク ,  *輸送特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ReSe2/MoSは_2 ,  van der Waalsヘテロ接合 ,  整流 ,  オプトエレクトロニクス特性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 多層 ,  整流 ,  増強 ,  輸送特性 ,  光電流