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J-GLOBAL ID：201702277443177462   整理番号：17A0203773

付加水素ガスによるアルゴン/窒素混合ガス中での高周波マグネトロンスパッタリングにより堆積した厚いc-BN膜【Powered by NICT】

Thick c-BN films deposited by radio frequency magnetron sputtering in argon/nitrogen gas mixture with additional hydrogen gas

著者 (7件)： Zhao Yan (Jilin University) ,  Gao Wei (Jilin University) ,  Xu Bo (Department of Physics, College of Science, Yanbian University) ,  Li Yingai (Jilin University) ,  Li Hongdong (Jilin University) ,  Gu Guangrui (Department of Physics, College of Science, Yanbian University) ,  Yin Hong (Jilin University)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 10  ページ： 106801-1-106801-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 立方晶窒化ほう素(c BN)膜の優れた物理的および化学的特性は,様々な産業応用のための有望な候補である。しかし,c-BN膜厚は,多くの場合,その実用化を制限している。このようにして,高品質の厚い,安定したc-BN膜を合成するために経済的,簡単で環境友人方法の開発が不可欠である。高立方晶含有量BN膜は低い基板温度でh-BNターゲットからの無線周波数(RF)マグネトロンスパッタリングによりシリコン(100)基板上に作製した。c-BN膜の接着は大きくアルゴン/窒素の混合ガスに水素を添加することにより改善され,厚さ5μmまでの膜の堆積を可能にした。組成と種々の基板温度で成長させたc-BN膜の微細構造形態は,全作動ガスにH_2ガス含有量の比に関して系統的に調べた。添加では,厚いc-BN膜の堆積の主要な機構を提案した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 微細構造 ,  *アルゴン ,  *マグネトロンスパッタリング ,  *窒素 ,  基板温度 ,  *混合気体 ,  *水素 ,  膜厚 ,  無線周波数 ,  六方晶窒化ホウ素 ,  高品質 ,  CBN【セラミック】 ,  *水素ガス
準シソーラス用語： *RFマグネトロンスパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 窒化ホウ素立方晶 ,  水素プラズマ ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  成長図

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (7件)： 水素ガス ,  アルゴン ,  窒素 ,  混合ガス ,  高周波マグネトロンスパッタリング ,  堆積 ,  BN