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J-GLOBAL ID：201702277824455805   整理番号：17A0067331

カーボンナノチューブアレイに及ぼす触媒膜厚の影響を,原子層堆積法によって調製した。【JST・京大機械翻訳】

Influence of Catalyst Film Thickness Deposited by Atomic Layer Deposition on Growth of Aligned Carbon Nanotubes

著者 (4件)： Yang Chao (Key Laboratory of Inorganic Coating Materials, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences) ,  Li Ying (Key Laboratory of Inorganic Coating Materials, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences) ,  Yan Lu (Key Laboratory of Inorganic Coating Materials, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences) ,  Cao Yunzhen (Key Laboratory of Inorganic Coating Materials, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Wuji Cailiao Xuebao  (Wuji Cailiao Xuebao)
巻： 31  号： 7  ページ： 681-686  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2432A  ISSN： 1000-324X  CODEN： WCXUET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 原子層堆積(ALD)プロセスにより,シリコン基板上にアルミナバッファ層と酸化鉄触媒膜を逐次堆積させ,次いで,水熱化学蒸着(WACVD)により垂直カーボンナノチューブアレイ(VACNTS)を成長させた。結果は以下を示す。ALDプロセスによって調製した酸化鉄薄膜は,還元雰囲気で熱処理することによって,カーボンナノチューブアレイの成長に必要なナノ触媒粒子を形成することができた。酸化鉄薄膜の厚さは,ナノ触媒粒子サイズおよび成長したカーボンナノチューブアレイの構造に強く依存した。酸化鉄薄膜の厚さが1.2NMのとき,カーボンナノチューブアレイの外径は約10NMであり,そして,管壁の数は約5層であり,そして,アレイの高さは約400MMであった。酸化鉄薄膜の厚さを増大させると,成長したカーボンナノチューブアレイの外径と壁が増加し,アレイの高さが低下した。実験結果により,シリコン基板上にVACNTSが観察され,ALDプロセスが三次元構造上で触媒膜を調製するために用いることができることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 熱CVD ,  *膜厚 ,  粒度 ,  バッファ層 ,  薄膜 ,  外径 ,  酸化鉄 ,  *触媒 ,  アルミナ
準シソーラス用語： 三次元構造 ,  ナノ触媒 ,  還元雰囲気 ,  *触媒膜 ,  シリコンウエハ ,  *ALCVD , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： atomic layer deposition ,  iron oxide ,  water-assisted chemical vapor deposition ,  vertically aligned carbon nanotubes ,  controlled structure ,  three-dimensional sample

分類 (4件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  二次電池  (YB04030K) ,  電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (5件)： カーボンナノチューブアレイ ,  触媒 ,  膜厚 ,  原子層堆積法 ,  調製