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J-GLOBAL ID：201702277848456297   整理番号：17A0323746

2,7-ジオクチル[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェン(C8BTBT)ベースの有機電界効果トランジスタのための制御可能な薄膜の形態と構造【Powered by NICT】

Controllable thin-film morphology and structure for 2,7-dioctyl[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene (C8BTBT) based organic field-effect transistors

著者 (11件)： Huang Yulan (Hunan Key Laboratory for Super-microstructure and Ultrafast Process, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, 410083, China) ,  Sun Jia (Hunan Key Laboratory for Super-microstructure and Ultrafast Process, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, 410083, China) ,  Zhang Jidong (State Key Laboratory of Polymer Physics and Chemistry, Changchun Institute of Applied Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Changchun, 130022, China) ,  Wang Shitan (Hunan Key Laboratory for Super-microstructure and Ultrafast Process, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, 410083, China) ,  Huang Han (Hunan Key Laboratory for Super-microstructure and Ultrafast Process, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, 410083, China) ,  Zhang Jian (School of Material Science and Engineering, Guilin University of Electronic Technology, Guilin, 541004, Guangxi, China) ,  Yan Donghang (State Key Laboratory of Polymer Physics and Chemistry, Changchun Institute of Applied Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Changchun, 130022, China) ,  Gao Yongli (Hunan Key Laboratory for Super-microstructure and Ultrafast Process, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, 410083, China) ,  Gao Yongli (Department of Physics and Astronomy, University of Rochester, Rochester, NY, 14627, USA) ,  Yang Junliang (Hunan Key Laboratory for Super-microstructure and Ultrafast Process, School of Physics and Electronics, Central South University, Changsha, 410083, China) ,  Yang Junliang (State Key Laboratory of Polymer Physics and Chemistry, Changchun Institute of Applied Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Changchun, 130022, China)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 36  ページ： 73-81  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 活性層として有機半導体材料2,7 ジオクチル[1]ベンゾチエノ[3,2 b] ベンゾチオフェン(C8BTBT)に基づく有機電界効果トランジスタ(OFET)を有機分子ビーム蒸着(OMBD)と溶液処理法を用いて作製した,C8BTBT薄膜形態はよく制御できた。OMBD法では,C8BTBT薄膜形態は,有機半導体層の厚さおよび堆積速度,の高品質C8BTBT薄膜は約20nmの厚さと1.2nm/minの蒸着速度で得られ,2.8×10~ 3cm~2V~ 1s~ 1から1.20cm~2V~ 1秒~ 1への明らかな移動度の改善をもたらしたにより制御できた。が溶液処理,C8BTBT薄膜形態と厚さはスピンコーティング速度とスピン塗工機中の基板の位置,すなわち,中心とオフ中心位置に関連している。最適化速度を持つ偏心スピンコーティングは,大型ドメインC8BTBT薄膜を生成し,それに応じて1.47cm~2V~ 1s~ 1の移動度をもたらした。添加剤ポリスチレン(PS)をC8BTBT溶液さらに金属安定相を有する薄膜形態を改善および基質SiO_2との界面接触を改善し,最高の移動度3.56cm~2V~ 1s~ 1までをもたらしたに添加した。研究は1.20cm~2V~ 1s~ 1以上の移動度を持つC8BTBTベースOFETsは薄膜形態と構造最適化,高性能フレキシブルおよびプリントエレクトロニクスへの応用の可能性を示し,有機分子ビーム蒸着(OMBD)と溶液処理法の両方を用いて作製できることを示唆した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 塗工機 ,  活性層 ,  最適化 ,  有機半導体 ,  界面 ,  移動度 ,  堆積速度 ,  構造最適化 ,  スピンコーティング ,  蒸着 ,  *薄膜
準シソーラス用語： 蒸着速度 ,  高品質 ,  溶液処理 ,  *有機FET , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： OFET ,  OMBD ,  溶液処理 ,  偏心 ,  C8BTBT ,  Morphology

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ベンゾチオフェン ,  有機電界効果トランジスタ ,  薄膜 ,  形態