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J-GLOBAL ID：201702278291609005   整理番号：17A0080001

CuInS₂量子ドット薄膜に関する線形増大電圧による注入電荷抽出(i-CELIV)を用いた電荷キャリア動力学研究 ZnSシェルの役割

Charge carrier dynamics investigation of CuInS2 quantum dots films using injected charge extraction by linearly increasing voltage (i-CELIV): the role of ZnS Shell

著者 (10件)： Bi Ke (Femtosecond Laser Laboratory, Key Laboratory of Physics and Technology for Advanced Batteries (Ministry of Education), College of Physics, Jilin University, Changchun, People’s Republic of China) ,  Sui Ning (Femtosecond Laser Laboratory, Key Laboratory of Physics and Technology for Advanced Batteries (Ministry of Education), College of Physics, Jilin University, Changchun, People’s Republic of China) ,  Zhang Liquan (Femtosecond Laser Laboratory, Key Laboratory of Physics and Technology for Advanced Batteries (Ministry of Education), College of Physics, Jilin University, Changchun, People’s Republic of China) ,  Wang Yinghui (Femtosecond Laser Laboratory, Key Laboratory of Physics and Technology for Advanced Batteries (Ministry of Education), College of Physics, Jilin University, Changchun, People’s Republic of China) ,  Wang Yinghui (Department of Chemistry, University of California, Irvine, CA, USA) ,  Liu Qinghui (Femtosecond Laser Laboratory, Key Laboratory of Physics and Technology for Advanced Batteries (Ministry of Education), College of Physics, Jilin University, Changchun, People’s Republic of China) ,  Liu Qinghui (Department of Chemical Engineering, University of Michigan, Ann Arbor, MI, USA) ,  Tan Mingrui (Femtosecond Laser Laboratory, Key Laboratory of Physics and Technology for Advanced Batteries (Ministry of Education), College of Physics, Jilin University, Changchun, People’s Republic of China) ,  Zhou Qiang (Key Laboratory of Superhard Materials, College of Physics, Jilin University, Changchun, China) ,  Zhang Hanzhuang (Femtosecond Laser Laboratory, Key Laboratory of Physics and Technology for Advanced Batteries (Ministry of Education), College of Physics, Jilin University, Changchun, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Nanoparticle Research  (Journal of Nanoparticle Research)
巻： 18  号： 12  ページ： Article:367,1-5  発行年： 2016年12月 
JST資料番号： W1361A  ISSN： 1388-0764  CODEN： JNARFA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CuInS₂/ZnS量子ドット(QD)内での光物理特性に対するZnSシェルの役割を,オプトエレクトロニクス素子において注意深く調べた。線形増大電圧法を用いて,CuInS₂およびCuInS₂/ZnSの両QD薄膜について,電荷キャリア動力学を調べた。本研究は,電荷キャリアが,この薄膜内での単分子再結合と類似の挙動に従うこと,その電荷移動レートは,外部電圧の増大と相関があること,を示した。ZnSシェルは,トラッピング状態の低下を通してキャリア拡散過程に影響を及ぼし,ポテンシャル障壁の構築をもたらし得ることが分かった。Copyright 2016 Springer Science+Business Media Dordrecht Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *量子ドット ,  化合物半導体 ,  素子構造 ,  *インジウム化合物 ,  *銅化合物 ,  硫化亜鉛 ,  *半導体薄膜 ,  シェル構造 ,  被覆層 ,  動力学 ,  再結合 ,  固体素子
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  硫化インジウム銅 ,  キャリア動力学 ,  電荷再結合 ,  オプトエレクトロニクス素子

著者キーワード (5件)： CuInS2 ,  Quantum dots ,  I-CELIV (injected charge extraction by linearly increasing voltage) ,  Charge recombination ,  Optoelectronic devices

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (11件)： CuInS2 ,  量子ドット ,  薄膜 ,  線形 ,  注入 ,  電荷 ,  キャリア動力学 ,  研究 ,  ZnS ,  シェル ,  役割