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J-GLOBAL ID：201702278509110264   整理番号：17A0661120

成長高品質極薄ルブレン膜の異物粒子で促進された結晶核形成【Powered by NICT】

Foreign Particle Promoted Crystalline Nucleation for Growing High-Quality Ultrathin Rubrene Films

著者 (8件)： Hu Xiaorong (Institute of Functional Nano & Soft Materials (FUNSOM), Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials & Devices, Soochow University, 199 Ren’ai Road, Suzhou, 215123, China) ,  Wang Zi (Institute of Functional Nano & Soft Materials (FUNSOM), Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials & Devices, Soochow University, 199 Ren’ai Road, Suzhou, 215123, China) ,  Zhu Xiaofei (Institute of Functional Nano & Soft Materials (FUNSOM), Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials & Devices, Soochow University, 199 Ren’ai Road, Suzhou, 215123, China) ,  Zhu Tao (Institute of Functional Nano & Soft Materials (FUNSOM), Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials & Devices, Soochow University, 199 Ren’ai Road, Suzhou, 215123, China) ,  Zhang Xiaodong (Institute of Functional Nano & Soft Materials (FUNSOM), Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials & Devices, Soochow University, 199 Ren’ai Road, Suzhou, 215123, China) ,  Dong Bin (Institute of Functional Nano & Soft Materials (FUNSOM), Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials & Devices, Soochow University, 199 Ren’ai Road, Suzhou, 215123, China) ,  Huang Lizhen (Institute of Functional Nano & Soft Materials (FUNSOM), Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials & Devices, Soochow University, 199 Ren’ai Road, Suzhou, 215123, China) ,  Chi Lifeng (Institute of Functional Nano & Soft Materials (FUNSOM), Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials & Devices, Soochow University, 199 Ren’ai Road, Suzhou, 215123, China)
資料名： Small  (Small)
巻： 12  号： 30  ページ： 4086-4092  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 核形成因子として異物やエージェントを導入することは結晶成長中の結晶化を促進し,結晶化速度をスピードアップし,成長過程を制御するための利点を有して効率的な方法である。しかし,有機結晶膜成長の場,結晶化および形態変調は,オプトエレクトロニクス分野で非常に重要であるが,この方法はほとんど利用されてきた。特に,ルブレンのようないくつかの可能性のある高性能材料は膜形成時に結晶化の問題に直面している。異物により支援された初期段階中のルブレン膜の結晶化を促進することが報告されている戦略。サブ単分子層段階から高度に秩序化した薄膜を得ることができた。2.95cm~2V~ 1s~ 1まで効率的な電荷輸送と高移動度は,超薄結晶性膜で達成した。このような方法は,非常に初期の段階からの膜成長の良好な制御を可能にし,良好な再現性,したがって,望みの光電気特性と応用を得るために非常に有望な均一結晶膜を生成した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： オプトエレクトロニクス ,  電気特性 ,  結晶成長 ,  薄膜成長 ,  *結晶核形成 ,  *結晶 ,  単分子層 ,  結晶化 ,  結晶度 ,  *核形成 ,  晶析速度 ,  再現性
準シソーラス用語： 電荷輸送 ,  有機結晶 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 外国粒子 ,  核形成 ,  有機薄膜トランジスタ ,  ルブレン超薄膜

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

物質索引 (1件)： ルブレン

タイトルに関連する用語 (6件)： 成長 ,  高品質 ,  ルブレン ,  異物 ,  促進 ,  結晶核形成