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J-GLOBAL ID：201702278513471812   整理番号：17A0326073

二軸歪みを用いた単分子層すず(II)セレニドにおける広範囲波長可変および異方性電荷キャリア移動度:第一原理研究【Powered by NICT】

Widely tunable and anisotropic charge carrier mobility in monolayer tin(ii) selenide using biaxial strain: a first-principles study

著者 (4件)： Zhou Mei (Institute of Applied Physics and Computational Mathematics, No. 6 Garden Road, Haidian District, Beijing 100088, China. [e-mail]) ,  Chen Xiaobin ,  Li Menglei ,  Du Aijun
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 5  ページ： 1247-1254  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元(2D)材料は,次世代エレクトロニクスを開発するための有望な候補である。低開裂エネルギーでバルクSnSe結晶を剥離して得られる単分子層スズ(ii)セレン化物(SnSe)を第一原理計算を用いてほぼ直接バンドギャップ半導体であることを示した。縦音響変形ポテンシャル散乱機構と有効質量,弾性係数と変形ポテンシャルの異方性特性を導入することにより,単層SnSeの電荷キャリア移動度はキャリアタイプ,谷指数,輸送方向,および二軸歪に強く依存することを示した。特に,電子移動度は正孔移動度よりも一般的に高く,241%までの異方性を示した。二軸引張歪の増加に伴い,電子移動度と正孔移動度の両方が徐々に低下し,これは主に歪誘起重い有効質量に起因する。驚くべきことに,キャリア移動度は小さな二軸圧縮歪,キャリアとより大きな弾性係数の小さい有効質量を効率的に生成しを介して約147%(電子)と968%(正孔)により増強され,多数の基質上の単分子層SnSeの高い移動度を達成する可能性を示唆することが分かった。著者らの結果は,高い熱安定性と制御可能な優れたキャリア移動度を持つ新しい有望な2Dすず基カルコゲナイド材料を強調し,将来のフレキシブルナノ電子デバイスにおいて大きな可能性を有する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *キャリア ,  熱安定性 ,  *二軸 ,  正孔 ,  *キャリア移動度 ,  有効質量 ,  *単分子層 ,  *第一原理 ,  *移動度 ,  変形ポテンシャル
準シソーラス用語： 圧縮歪 ,  引張歪 ,  正孔移動度 ,  電子移動度 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  四環以上の炭素縮合多環化合物  (CF06090C)

タイトルに関連する用語 (9件)： 軸歪み ,  単分子層 ,  すず ,  セレニド ,  波長可変 ,  異方性 ,  電荷キャリア移動度 ,  第一原理 ,  研究