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J-GLOBAL ID：201702278520183316   整理番号：17A0868268

Al LaNiO_3ヘテロ構造における界面抵抗記憶素子【Powered by NICT】

Interfacial memristors in Al-LaNiO₃ heterostructures

著者 (18件)： Tian Bobo (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China. [e-mail]) ,  Nukala Pavan ,  Hassine Mohamed Ben ,  Zhao Xiaolin ,  Wang Xudong ,  Shen Hong ,  Wang Jianlu ,  Sun Shuo ,  Lin Tie ,  Sun Jinglan ,  Ge Jun ,  Huang Rong ,  Duan Chungang ,  Reiss Thomas ,  Varela Maria ,  Dkhil Brahim ,  Meng Xiangjian ,  Chu Junhao
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 26  ページ： 16960-16968  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メモリスタ(記憶抵抗)デバイスはノイマン型パラダイムを超えた新しい計算アプローチを可能にする有望な回路要素である。Al LaNiO_3(LNO)界面,金属-金属接合での化学を調整することによって,良好な電気抵抗(ON-OFF抵抗比100),再現性のある多剤耐性状態と良好なスイッチング挙動を操作する。このような挙動の原因となる活性材料はLNOからのAlによる酸素を捕捉することにより得られた界面でAl_xO_y層の自己形成サンドイッチである。収差補正電子顕微鏡と輸送測定を用いて,メモリスタヒステリシスはLNO(貯留層)と層間,Al_xO_yマトリックス中のAlナノクラスタの形成と溶解酸化還元反応を駆動する間のO~2-(または)循環駆動電場に起因することを確認した。本研究では,このような界面での正確な酸素制御の詳細とへの明確な洞察を提供し,oxitronicsにおける新しい機会に有用である。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *回路部品 ,  *アルミニウム ,  *ランタン化合物 ,  電気抵抗 ,  スイッチング ,  多剤耐性 ,  表面構造 ,  素子構造 ,  サンドイッチ構造 ,  酸化アルミニウム ,  ナノクラスタ ,  交流電場 ,  ヘテロ接合 ,  *ニッケル酸塩 ,  記憶素子
準シソーラス用語： *メモリスタ ,  界面組織 ,  金属-強誘電体-金属接合 ,  *複合酸化物 ,  *ニッケル酸ランタン ,  界面抵抗

分類 (2件)： その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

タイトルに関連する用語 (4件)： Al ,  ヘテロ構造 ,  界面 ,  抵抗記憶素子