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J-GLOBAL ID：201702278524779596   整理番号：17A0795083

高性能500V準および完全垂直GaN-on-Si pnダイオード【Powered by NICT】

High-Performance 500 V Quasi- and Fully-Vertical GaN-on-Si pn Diodes

著者 (7件)： Zhang Yuhao (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA) ,  Piedra Daniel (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA) ,  Sun Min (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA) ,  Hennig Jonas (Institute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, Magdeburg, Germany) ,  Dadgar Armin (Institute of Experimental Physics, Otto-von-Guericke-University Magdeburg, Magdeburg, Germany) ,  Yu Lili (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA) ,  Palacios Tomas (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 2  ページ： 248-251  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 記録性能を有する完全に垂直GaN-on-Si pnダイオードを準及び実証した。最適化されたデバイス構造は,高度に伝導性の(N_D>10~20cm~ 3)集電層と微量炭素をドープしたドリフト層を採用している。この最適化により,0.8~1mΩ.cm~2の微分固有オン-抵抗(R_ON),500V以上の降伏電圧(BV),及び高い順方向電流(~kA/cm ~2)を実証した。300°Cまで優れたR_ONとBV性能も得られた。50nsの小さな逆回復時間はスイッチング条件下で実証した。Baligaの0.32の字GW/cm~2以上の性能により,これらのデバイスは将来の電力応用のための低コストGaN-on-Si垂直デバイスの大きな可能性を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ケイ素 ,  ドリフト ,  素子構造 ,  微分 ,  *窒化ガリウム ,  スイッチング ,  *ダイオード ,  電力応用 ,  ドーピング ,  電流 ,  最適化
準シソーラス用語： 回復時間 ,  絶縁破壊電圧 ,  集電 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高性能 ,  垂直 ,  GaN ,  Si ,  PN ,  ダイオード