Komonov A.I. について
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (ISP SBRAS), pr. Lavrentieva 13, Novosibirsk 630090, Russia について
Prinz V.Ya. について
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (ISP SBRAS), pr. Lavrentieva 13, Novosibirsk 630090, Russia について
Seleznev V.A. について
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (ISP SBRAS), pr. Lavrentieva 13, Novosibirsk 630090, Russia について
Kokh K.A. について
Sobolev Institute of Geology and Mineralogy, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (IGM SB RAS), pr. Koptyuga 3, Novosibirsk 630090, Russia について
Shlegel V.N. について
Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry, Siberian Branch of the Russian Academy of Sciences (NIIC SB RAS), pr. Lavrentieva 3, Novosibirsk 630090, Russia について
Applied Surface Science について
走査型プローブ顕微鏡 について
導電性 について
結晶 について
走査型トンネル顕微鏡 について
単原子層 について
単分子層 について
プローブ について
ナノテクノロジー について
単結晶 について
三次元印刷 について
レリーフ について
表面形態 について
ナノメータ について
測定較正 について
単分子層ステップ について
層状結晶 について
走査型プローブ顕微鏡(SPM) について
原子間力顕微鏡(A FM) について
走査型トンネル顕微鏡(STM) について
Bi_2Se_3とZnWO_4 について
下水,廃水の化学的処理 について
半導体薄膜 について
光化学一般 について
半導体の表面構造 について
単原子層 について
高さ について
標準 について