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J-GLOBAL ID:201702278835408933   整理番号:17A0830894

分子ビームエピタクシーによる鉄基板上のグラフェンの低温成長【Powered by NICT】

Low-temperature growth of graphene on iron substrate by molecular beam epitaxy
著者 (7件):
資料名:
巻: 627  ページ: 39-43  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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グラフェンはその魅力的な特性のために多くの興味とさまざまな可能な応用されている。いくつかの方法は,種々の基板上での高品質グラフェン膜を達成するために使用した。しかし,鉄(Fe)上のグラフェン成長に対する研究はほんの僅かしかないと成長機構は不明のままである。本論文では,ガスソース分子ビームエピタクシーによるFe基板上のグラフェンの温度依存性成長を系統的に調べた。二次元(2D),大面積グラフェン試料は,Fe薄膜上に成長させ,Raman,X線光電子分光法,X線回折,光学顕微鏡,透過型電子顕微鏡及び原子間力顕微鏡により評価した。グラフェンフレークは400°Cの低い成長温度でFe上に成長させることができ,最適化大面積グラフェン成長温度は500°Cと550°Cの間で比較的低いことが分かった。炭化鉄の生成と分解を受けることをFe上のグラフェン成長を検討した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
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その他の無機化合物の薄膜 
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