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J-GLOBAL ID:201702278960178580   整理番号:17A0300917

MOS_XSE_(2-X)混合物の二次元半導体バルクの成長とキャラクタリゼーションを行った。【JST・京大機械翻訳】

Growth and Characterization of Mixed-Component 2D Semiconductor Material MoS_xSe_(2-x)
著者 (4件):
資料名:
巻: 14  号:ページ: 369-372  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2959A  ISSN: 1672-6030  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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混合成分の二次元半導体に対する研究の要求に対して、高温高圧炉を用いて各グループの分多晶の合成を行い、高温炉で管状炉において、四Lv化Di(TECL_4)を輸送として利用した。MOS_XSE_(2-X)混合物の二次元半導体バルクを,気相輸送(CVT)により成長させた。成長したバルクを機械剥離法で剥離し、剥離した単層二次元材料に対して光ルミネセンス(PHOTOLUMINESCENCE、PL)スペクトル線測定を行い、その混合成分が材料特性スペクトル線に与える影響を測定した。結果は以下を示す。混合成分材料の光ルミネセンススペクトルはその組成の各成分のスペクトル線によって重ね合わせ、しかも重畳時に近似成分の比例の代数によって重畳する。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
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半導体のルミネセンス 
タイトルに関連する用語 (5件):
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