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J-GLOBAL ID:201702279030875148   整理番号:17A0696845

欠陥とドーピングによるグラフェンにおける熱輸送:フォノンモード解析【Powered by NICT】

Thermal transport in graphene with defect and doping: Phonon modes analysis
著者 (9件):
資料名:
巻: 116  ページ: 139-144  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0270B  ISSN: 0008-6223  CODEN: CRBNA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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グラフェンの熱伝導率に及ぼす種々の比率の欠陥と同位体ドーピングの影響を非平衡分子動力学シミュレーションと正常モード解析法を用いて調べた。発生時のグラフェンで持続したサイズ依存熱伝導率とは対照的に,サイズが100nmより大きいとき,欠陥グラフェンの熱伝導率は急速に飽和した。グラフェンと同様に,欠陥とドープされたグラフェン~T-α挙動に従い熱伝導率を見出し,べき指数αは欠陥とドーピング比に敏感であった。フォノン平均自由行程(MFP)に関するスペクトルフォノン緩和時間と正規化した蓄積熱伝導率は長いMFPフォノンモードは強く欠陥およびドープグラフェンにおける抑制され,抑制されたサイズ依存性と純粋なグラフェンと比較して熱伝導率の弱い温度依存性になっていることを明らかにした。本研究におけるフォノンモード解析は,グラフェンにおける熱輸送,それはグラフェンベースのフォノン工学的応用に効果的な指導を提供するであろうへの欠陥とドーピング効果の深い理解を確立した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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炭素とその化合物 

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