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J-GLOBAL ID：201702279077786906   整理番号：17A0389354

V字型チエノ[3,2-f:4,5-f′]ビス[1]ベンゾチオフェン半導体に基づいた高性能溶液結晶化薄膜トランジスタ【Powered by NICT】

High performance solution-crystallized thin-film transistors based on V-shaped thieno[3,2-f:4,5-f′]bis[1]benzothiophene semiconductors

著者 (19件)： Mitsui Chikahiko (Department of Advanced Materials Science, Graduate School of Frontier Sciences, The Univ. of Tokyo, 5-1-5 Kashiwanoha, Kashiwa, Chiba 277-8561, Japan. [e-mail]) ,  Tsuyama Hiroaki ,  Shikata Ryoji ,  Murata Yoshinori ,  Kuniyasu Hiroyuki ,  Yamagishi Masakazu ,  Ishii Hiroyuki ,  Yamamoto Akito ,  Hirose Yuri ,  Yano Masafumi ,  Takehara Tsunayoshi ,  Suzuki Takeyuki ,  Sato Hiroyasu ,  Yamano Akihito ,  Fukuzaki Eiji ,  Watanabe Tetsuya ,  Usami Yoshihisa ,  Takeya Jun ,  Okamoto Toshihiro
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 8  ページ： 1903-1909  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい溶液処理可能なチエノ[3,2-f:4,5-f′]ビス[1]ベンゾチオフェン(TBBT-V)半導体のを調べた。デシル置換基をもつ半導体と二種類のπ拡張decylthienyl置換基の面官能化ジブロモ置換TBBT Vvia NegishiまたはStilleクロスカップリング手順から誘導体化した。TBBT V半導体の溶解度はそれらの以前に開発したジナフト[2,3-b:2′,3′-d]チオフェン(DNT-V)対応物のそれよりも幾分高かった。移動積分の計算研究およびデシル置換TBBT V(C_10TBBT V)におけるバンド構造と共に単結晶分析は,これらの半導体は,以前に開発したデシル置換DNT Vのそれに匹敵する柱状方向に二次元的に秩序化したヘリングボーン充填構造と有効質量を形成することを明らかにした。単結晶膜中に成長させた溶液中のTBBT V誘導体のキャリア移動度は顕著な(最大6.2cm~2V~ 1s~ 1)。さらに,その動作電圧はTBBT Vコアの最適化されたイオン化ポテンシャルおよびチエニル基の置換による更なるπ拡張のために以前に開発されたDNT V誘導体のそれよりも明らかに低かった。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 溶解度 ,  二次元 ,  官能化 ,  最適化 ,  積分 ,  *薄膜トランジスタ ,  有効質量 ,  交差カップリング反応 ,  イオン化ポテンシャル ,  キャリア移動度 ,  誘導体化 ,  *半導体 ,  単結晶 ,  置換基 ,  溶液処理 ,  改変

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  分子の電気的・磁気的性質  (BH05032U)

タイトルに関連する用語 (7件)： V字型 ,  ビス ,  ベンゾチオフェン ,  高性能 ,  溶液 ,  結晶化 ,  薄膜トランジスタ