単層グラフェン/MoS_2ヘテロ構造の圧力誘起電荷移動ドーピング【Powered by NICT】

Pandey Tribhuwan; Nayak Avinash P.; Liu Jin; Moran Samuel T.; Kim Joon-Seok; Li Lain-Jong; Lin Jung-Fu; Lin Jung-Fu; Akinwande Deji; Singh Abhishek K.

文献

J-GLOBAL ID：201702279421609749 整理番号：17A0661117

単層グラフェン/MoS_2ヘテロ構造の圧力誘起電荷移動ドーピング【Powered by NICT】

Pressure-Induced Charge Transfer Doping of Monolayer Graphene/MoS₂ Heterostructure

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Pandey Tribhuwan

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(Materials Research Centre, Indian Institute of Science, Bangalore, 560012, India)

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巻： 12 号： 30 ページ： 4063-4069 発行年： 2016年
JST資料番号： W2348A ISSN： 1613-6810 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

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グラフェン/MoS2_2ヘテロ構造における制御可能な,圧力誘起電荷移動ドーピングを達成するユニークな方法を提案した。電荷移動は印加静水圧の関数として15.7meV GPa~( 1)の速度でFermi準位に関してDirac点の上方シフトを引き起こし,グラフェンにおける重いp型ドーピングをもたらした。ドーピングはI_2D/I_G測定により確認した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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