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J-GLOBAL ID：201702279708204375   整理番号：17A0162058

MGB_2/B/MGB_2JOSEPHSON接合の調製と直流特性【JST・京大機械翻訳】

Preparation and DC characteristics of MgB_2/B/MgB_2 Josephson junctions

著者 (5件)： Zhou Zhangyu (College of Big Data and Information Engineering, Guizhou University) ,  Xiao Han (College of Chemistry and Environmental Science, Guizhou Minzu University) ,  Wang Song (College of Big Data and Information Engineering, Guizhou University) ,  Fu Xinghua (College of Big Data and Information Engineering, Guizhou University) ,  Yan Jiang (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 65  号： 18  ページ： 180301-1-180301-7  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文では,MGB_2薄膜の混合物理化学気相堆積法を用いて,単層AL_2O_3(0001)基板上に縦方向サンドイッチ構造のMGB_2/B/MGB_2JOSEPHSON接合を作製した。本論文では,標準曲線法を用いて,異なる温度でのDC-I曲線を測定し,異なる温度でのDC-I曲線を測定した。実験結果により,MGB_2/B/MGB_2JOSEPHSON接合温度は31.3Kであり,4.2Kでの臨界電流密度は0.52A/CM2であり,DC特性のI-V曲線に対する微分適合を示した。MGB_2の3Dバンドギャップは2.13EVであった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 微分 ,  薄膜 ,  検量線 ,  三次元 ,  化学蒸着 ,  バンドギャップ ,  単一層 ,  臨界電流密度 ,  *直流 ,  サンドイッチ構造
準シソーラス用語： 接合温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： MgB_2/B/MgB_2 Josephson junctions ,  metallic mask method ,  hybrid physics-chemistry vapor deposition

分類 (1件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R)

タイトルに関連する用語 (2件)： 調製 ,  流特性