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J-GLOBAL ID:201702279783684493   整理番号:17A0162105

二重層グラフェンのゲート制御下での異方性エッチング【JST・京大機械翻訳】

Anisotropic etching of bilayer graphene controlled by gate voltage
著者 (6件):
資料名:
巻: 65  号: 19  ページ: 196101-1-196101-6  発行年: 2016年 
JST資料番号: B0628A  ISSN: 1000-3290  CODEN: WLHPA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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グラフェンナノ構造は,ナノ粒子の研究分野において,良好な応用展望を示した。水素プラズマの異方性エッチング技術はグラフェンの微細構造を加工するための重要な技術の一つであり、10NM以下の代かきのジグザグの制御可能な加工を実現することができる。本論文では、外部電場がグラフェンの異方性エッチング効果に与える影響を系統的に研究し、外部ゲートを利用して酸化ケイ素基板上の二層グラフェンの異方性エッチング速度の制御を実現した。±30Vのゲート電圧範囲において,エッチングレートは45に達することができた。これらの結果は,ナノ構造の効率を改良するだけでなく,5NM以下の極小サイズのグラフェンナノリボンの制御可能な加工も達成することができることを示した。研究結果は,グラフェン微細構造素子の効率的バッチ処理のためのアイデアを提供した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
分類
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炭素とその化合物  ,  無機化合物一般及び元素 
タイトルに関連する用語 (4件):
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