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J-GLOBAL ID：201702279974344202   整理番号：17A0881983

インプリントされたAgグリッドと修正バッファ層により可能になった高効率の大面積フレキシブル高分子太陽電池【Powered by NICT】

Large area flexible polymer solar cells with high efficiency enabled by imprinted Ag grid and modified buffer layer

著者 (11件)： Lu Shudi (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Lu Shudi (Department of Physics, Hebei Normal University of Science & Technology, Qinhuangdao 066004, China) ,  Lin Jie (Center of Ultra-Precision Optoelectronic Instrument, Harbin Institute of Technology, Harbin 150080, China) ,  Liu Kong (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Yue Shizhong (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Ren Kuankuan (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Tan Furui (Key Laboratory of Photovoltaic Materials, Department of Physics and Electronics, Henan University, Kaifeng 475004, China) ,  Wang Zhijie (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Jin Peng (Center of Ultra-Precision Optoelectronic Instrument, Harbin Institute of Technology, Harbin 150080, China) ,  Qu Shengchun (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) ,  Wang Zhanguo (Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China)
資料名： Acta Materialia  (Acta Materialia)
巻： 130  ページ： 208-214  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0316A  ISSN： 1359-6454  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大面積柔軟性光起電力素子の実現に及ぼす高分子半導体の利点を完全にするために,ここでは,透明電極としてインプリントAgグリッドを有するポリエチレンテレフタレート(PET)に基づく重合体太陽電池を作製した。重要な作製法は基板とコンパクトな接触を形成するためにバッファ層をスピンコーティングのための修飾PEDOT:PSS(PH1000)溶液の採用である。固有PEDOT:PSSバッファ層を有する素子と比較して,先端デバイスは6.51%の非常に高い効率,2.25cm~2の大きな素子面積でもを提示した。その後の特性化は曲げ角は180°に拡大すると曲げ時間は1000サイクルまでであるようなデバイスは印象的な性能安定性を示すことを明らかにした。高効率的で柔軟な高分子太陽電池を構築するための一般的な方法論を提供するだけでなく,本論文では,曲げ条件における装置動作機構に深い洞察を含んでいる。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *太陽電池 ,  高分子半導体 ,  *銀 ,  スピンコーティング ,  透明電極 ,  *バッファ層 ,  キャラクタリゼーション ,  柔軟性 ,  重合体 ,  光起電素子
準シソーラス用語： 曲げ角 ,  *高分子太陽電池 ,  *大面積 ,  *高効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 大面積 ,  柔軟性 ,  高分子太陽電池 ,  バッファ層 ,  安定性

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ag ,  グリッド ,  バッファ層 ,  高効率 ,  大面積 ,  高分子太陽電池