単結晶Si薄膜における光トラッピング改善のための擬似無秩序構造【Powered by NICT】

Lalouat L.; Ding H.; Gonzalez-Acevedo B.; Harouri A.; Orobtchouk R.; Depauw V.; Drouard E.; Seassal C.

文献

J-GLOBAL ID：201702280098074124 整理番号：17A0370197

単結晶Si薄膜における光トラッピング改善のための擬似無秩序構造【Powered by NICT】

Pseudo-disordered structures for light trapping improvement in mono-crystalline Si thin-films

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資料名：
巻： 159 ページ： 649-656 発行年： 2017年
JST資料番号： D0513C ISSN： 0927-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

薄膜太陽電池は,活物質は高品質を示し,結晶シリコンの場合のように提供された高い変換効率を示し,入射光結合と吸収が適切に制御された。著者らは制御された擬似障害を含むフォトニック結晶に依存する高度な集光過程を統合することを提案した。厳密な結合波解析により,アルミニウムのような金属層に1μm厚結晶シリコン層に導入された適切にすべきであることを最適化ナノフォトニック構造を決定した。慎重に制御された擬似障害摂動のおかげで,これらの設計ナノパターンにおける吸収は十分に最適化された正方格子フォトニック結晶の場合に予測されるものを克服した。作製した構造は,この数値的研究の観点から解析などの制御された摂動の影響ではなく,測定法と技術的欠陥の影響を明らかにした。最適化摂動フォトニック結晶のおかげで,1μm厚結晶シリコン層内の積分吸収は,非パターン化スタックの場合には,37.7%から70.7%に増加した。十分に最適化された単純な周期フォトニック結晶に擬似障害の唯一の効果は,2%までの積分吸収の絶対増加を導き,シミュレーションにより予測されたように,両構造は全く同じプロセスフローを用いて作製した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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太陽電池 , 半導体薄膜

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