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J-GLOBAL ID:201702280292129233   整理番号:17A0881626

裏面接触接着の向上と合理的炭素ドーピング戦略によるCu_2(Zn,Cd)Sn(S,Se)_4太陽電池の安定性の改善【Powered by NICT】

Significantly enhancing back contact adhesion and improving stability of Cu2(Zn,Cd)Sn(S,Se)4 solar cell by a rational carbon doping strategy
著者 (12件):
資料名:
巻: 710  ページ: 403-408  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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裏面接触接着は,ケステライト(黄錫亜鉛鉱太陽電池の光電特性を決定する微細構造性能の重要な因子である。ここでは,適切な厚さ炭素添加CZCTS薄膜を挿入するによるCu_2(Zn,Cd)Sn(S,Se)4(CZCTSSe)吸収層の裏面接触接着を著しく増強する合理的かつ有効な戦略を提示した。アニーリングプロセス中に少量の炭素を発生できる炭素添加剤としてオレイルアミンを選択した。適切な厚さ炭素添加CZCTS膜はCZCTSSe吸収層の結晶成長機構を変化し,裏面接触に正孔を除去することができる。適切な厚さ炭素添加CZCTS膜を挿入するにより作製したCZCTSSe太陽電池の効率は7%以上であり,対照デバイスと比較して優れた再現性と長期安定性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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二次電池  ,  その他の無機化合物の薄膜 
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