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J-GLOBAL ID:201702281066287758   整理番号:17A0702698

半導体増強Raman散乱活性ナノ材料と応用【Powered by NICT】

Semiconductor-enhanced Raman scattering: active nanomaterials and applications
著者 (4件):
資料名:
巻:号: 15  ページ: 4847-4861  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2323A  ISSN: 2040-3364  CODEN: NANOHL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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表面増強Raman散乱(SERS)活性ナノ材料は,半導体材料に貴金属と遷移金属からの拡張,1970年代半ばにおけるSERSの最初の発見以来,た。金属基板と遷移金属との比較では,半導体材料はSERS増強能力に加えて付加的な光学的および電気的性質,顕著な電荷移動増強と触媒能力を示すことを可能にした。さらに,それらの優れた生体適合性は,これらのナノ材料はバイオサイエンスへの応用に大きな可能性を持つことを可能にした。ここでは,著者らのグループのみならず他の関連研究の研究で開発されたSERS活性半導体ナノ材料と半導体その他の材料ヘテロ構造に焦点を当てた急速に成長する研究分野を強調した。材料サイズ,形態およびアセンブリー依存性SERS増強を詳細に議論した。,光電特性,酸化還元生化学,センシング,および有機汚染物質の接触分解における半導体増強Raman散乱の有望な種々の応用を紹介した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (4件):
分類
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有機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  ,  基礎診断学  ,  固体デバイス製造技術一般  ,  固体プラズマ 
タイトルに関連する用語 (5件):
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