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J-GLOBAL ID：201702281178058365   整理番号：17A0302111

トポロジカル絶縁体と半金属におけるDiracフェルミオンとWeylフェルミオンの弱い反局在および相互作用誘起局在化【Powered by NICT】

Weak antilocalization and interaction-induced localization of Dirac and Weyl Fermions in topological insulators and semimetals

著者 (2件)： Lu Haizhou (Department of Physics, South University of Science and Technology of China) ,  Shen Shunqing (Department of Physics, The University of Hong Kong, Pokfulam Road)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 11  ページ： 117202_01-117202_08  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 弱い局在と反局在は無秩序金属における量子干渉から生じる量子輸送現象である。低温では,伝導率の異なる温度と磁場依存性を示し,系の対称性を可能にする検討することができる。過去数年間において,新たに出てきたトポロジー材料,トポロジカル絶縁体とトポロジカル半金属を含む観察された。従来電子からの対照的に,これらの新しい材料における準粒子はDiracあるいはWeylフェルミオンとして記述した。本論文では,トポロジカル絶縁体とトポロジカル半金属におけるDiracフェルミオンとWeylフェルミオンの弱い反局在および相互作用誘起局在化の理論に関する著者らの最近の努力をレビューした。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 相互作用 ,  対称性 ,  低温 ,  *フェルミオン ,  準粒子 ,  *半金属 ,  *トポロジカル絶縁体
準シソーラス用語： 磁場依存性 ,  伝導率 ,  量子輸送 ,  量子干渉 ,  弱局在 ,  *局在化 ,  *反局在 ,  *Diracフェルミオン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 局在 ,  反局在 ,  トポロジカル絶縁体 ,  トポロジカル半金属

分類 (1件)： 電子輸送の一般理論  (BM03020C)

タイトルに関連する用語 (8件)： トポロジカル絶縁体 ,  半金属 ,  Diracフェルミオン ,  Weylフェルミオン ,  反局在 ,  相互作用 ,  誘起 ,  局在化