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J-GLOBAL ID：201702282046279188   整理番号：17A0759416

中赤外検出器のための有機金属気相エピタクシーにより成長させたInAs/GaSb超格子の構造と電気的性質【Powered by NICT】

Structural and electrical properties of InAs/GaSb superlattices grown by metalorganic vapor phase epitaxy for midwavelength infrared detectors

著者 (10件)： Arikata Suguru (Semiconductor Technologies Laboratory, Sumitomo Electric Industries, LTD., 1-1-1 Koyakita, Itami, Hyogo 664-0016, Japan) ,  Kyono Takashi (Semiconductor Technologies Laboratory, Sumitomo Electric Industries, LTD., 1-1-1 Koyakita, Itami, Hyogo 664-0016, Japan) ,  Miura Kouhei (Transmission Devices Laboratory, Sumitomo Electric Industries, LTD., 1 Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama 244-8588, Japan) ,  Balasekaran Sundararajan (Transmission Devices Laboratory, Sumitomo Electric Industries, LTD., 1 Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama 244-8588, Japan) ,  Inada Hiroshi (Transmission Devices Laboratory, Sumitomo Electric Industries, LTD., 1 Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama 244-8588, Japan) ,  Iguchi Yasuhiro (Transmission Devices Laboratory, Sumitomo Electric Industries, LTD., 1 Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama 244-8588, Japan) ,  Sakai Michito (Sensor System Research Group, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA), 2-1-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-8505, Japan) ,  Katayama Haruyoshi (Space Technology Directorate I, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA), 2-1-1 Sengen, Tsukuba, Ibaraki 305-8505, Japan) ,  Kimata Masafumi (College of Science and Engineering, Ritsumeikan University, 1-1-1 Noji-higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, Japan) ,  Akita Katsushi (Sumiden Semiconductor Materials, LTD., 1-9-2 Takatsukadai, Nishi-ku, Kobe-shi, Hyogo 651-2201, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 3  ページ： ROMBUNNO.201600582  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAs/GaSb超格子(SL)構造は,中間波長赤外(MWIR)フォトダイオードへの有機金属気相エピタクシー(MOVPE)によるGaSb基板上に作製した。ほぼ歪補償界面層を持つ無欠陥,200周期超格子を作製することに成功し,20Kで3.5μmで4Kで6.1μmに中心を持つ強い光ルミネセンスピークと31%の外部量子効率を示した。これらの結果は,高性能MWIR検出器は生産のための魅力的な方法としてMOVPEにより成長させたInAs/GaSb超格子を用いて応用で作製できることを示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *検出器 ,  波長 ,  *アンチモン化ガリウム ,  フォトダイオード ,  *赤外検出器 ,  光ルミネセンス ,  *超格子 ,  *MOCVD ,  *電気的性質 ,  *ヒ化インジウム
準シソーラス用語： 外部量子効率 ,  界面層 ,  歪補償 ,  中赤外線 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： GaSb ,  InAs ,  赤外検出器 ,  MOVPE ,  superlattices

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 赤外検出器 ,  有機金属気相エピタクシー ,  成長 ,  InAs ,  GaSb ,  超格子 ,  電気的性質