文献
J-GLOBAL ID:201702282136101117   整理番号:17A0502275

AlGaN/GaN HEMTへの原子層エッチングによるプラズマ誘起ダメージの低減

Reduction of plasma-induced damage on AlGaN/GaN HEMT by atomic layer etching
著者 (6件):
資料名:
巻: EDD-17  号: 42-51  ページ: 19-22  発行年: 2017年03月09日 
JST資料番号: Z0910A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
トランジスタ  ,  固体デバイス製造技術一般 

前のページに戻る