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J-GLOBAL ID：201702282136101117   整理番号：17A0502275

AlGaN/GaN HEMTへの原子層エッチングによるプラズマ誘起ダメージの低減

Reduction of plasma-induced damage on AlGaN/GaN HEMT by atomic layer etching

著者 (6件)： 叶丸孝治 (東芝) ,  須古彩香 (東芝) ,  片岡淳司 (東芝) ,  菊地拓雄 (東芝) ,  齋藤玲子 (東芝) ,  石川諭 (東芝)
資料名： 電気学会電子デバイス研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： EDD-17  号： 42-51  ページ： 19-22  発行年： 2017年03月09日 
JST資料番号： Z0910A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  *HEMT ,  *エッチング ,  *プラズマ曝露 ,  *照射損傷 ,  化学組成 ,  X線光電子分光法 ,  容量電圧特性 ,  素子構造 ,  ゲート【半導体】
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  原子層エッチング ,  元素組成 ,  リセス構造

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  原子層エッチング ,  プラズマ ,  誘起 ,  ダメージ