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J-GLOBAL ID：201702282191604453   整理番号：17A0769567

高歪補償InGaAs/InAlAs超格子の構造と光ルミネセンス特性【Powered by NICT】

Structural and Photoluminescence Properties for Highly Strain-Compensated InGaAs/InAlAs Superlattice

著者 (6件)： GU Yi (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences) ,  ZHANG Yong-Gang (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences) ,  LI Ai-Zhen (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences) ,  WANG Kai (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences) ,  LI Cheng (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences) ,  LI Yao-Yao (Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology,Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 26  号： 7  ページ： 335-338  発行年： 2009年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 歪補償の効果を二十期間高歪補償でGaAs/InAIAs超格子を用いて研究した。個々の層の格子不整合は約1%と高く,厚さは臨界厚さに近かった。X線回折測定は,格子不完全性は重篤なが存在しないことを示し,構造パラメータは構造安定性のための理論的設計基準の範囲内であった。粗い界面と組成ゆらぎは格子不完全Hess海膨の主要な原因である。光ルミネセンス測定から,試料中に大きな熱活性化非放射再結合を示した。添加では,再結合過程は徐々に高温デバイス応用において考慮されるべきである,低いテンペラtaresで励起子再結合からバンド間再結合した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 構造パラメータ ,  励起子 ,  ゆらぎ ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *光ルミネセンス ,  X線回折 ,  *超格子 ,  再結合 ,  *ヒ化ガリウム ,  高温 ,  界面 ,  格子不整合
準シソーラス用語： 非放射再結合 ,  熱活性化 ,  *歪補償 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 多重量子井戸 ,  成長 ,  単一

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 歪補償 ,  InGaAs ,  InAlAs ,  超格子 ,  光ルミネセンス